[发明专利]表膜用膜、与TFT液晶面板制造用掩模一起使用的表膜、及包含该表膜的光掩模有效
申请号: | 200980145885.1 | 申请日: | 2009-11-19 |
公开(公告)号: | CN102216850A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 柳田好德;金子靖;阿部泰之;小川博司;村井诚;新地博之;土屋雅誉;本田邦之;田中友和;桥本宪尚 | 申请(专利权)人: | 旭化成电子材料株式会社;HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 表膜用膜 tft 液晶面板 制造 用掩模 一起 使用 包含 光掩模 | ||
1.一种表膜用膜,其在70℃下72小时的换算成每微米膜厚的草酸透过量为1.0×10-3mg/cm2以下,主要膜材料为光学用有机高分子。
2.一种表膜用膜,其在25℃下的氨透过系数为8.0×10-9cm3·μm/cm2·s·Pa以下,主要膜材料为光学用有机高分子。
3.根据权利要求2所述的表膜用膜,其在70℃下72小时的换算成每微米膜厚的草酸透过量为1.0×10-3mg/cm2以下。
4.一种表膜用膜,其中,主要膜材料为光学用有机高分子,该膜材料中含有相对于该光学用有机高分子的总重量为0.1重量%以上且15重量%以下的光稳定剂。
5.根据权利要求4所述的表膜用膜,其中,所述光学用有机高分子为环烯烃系树脂或纤维素衍生物。
6.根据权利要求4或5所述的表膜用膜,其中,所述光稳定剂为受阻胺系光稳定剂。
7.一种表膜,其具有:框体、在该框体的上边缘表面侧的权利要求1~6中任一项所述的表膜用膜、和在该框体的下边缘表面侧的粘合材料层。
8.根据权利要求7所述的表膜,其与TFT液晶面板制造用光掩模一起使用。
9.一种表膜用膜的制造方法,其包括以下工序:在有机溶剂中溶解光学用有机高分子和光稳定剂,从而制作聚合物溶液的工序;以及从该聚合物溶液除去有机溶剂的工序。
10.根据权利要求9所述的表膜用膜的制造方法,其中,所述有机溶剂为脂环式烃、氯系烃、酯系化合物或酮系化合物。
11.根据权利要求9或10所述的表膜用膜的制造方法,其中,所述光稳定剂为受阻胺系光稳定剂。
12.根据权利要求11所述的表膜用膜的制造方法,其中,所述受阻胺系光稳定剂在25℃下呈液态。
13.根据权利要求9~12中任一项所述的表膜用膜的制造方法,所述光学用有机高分子为环烯烃树脂或纤维素衍生物。
14.一种液晶显示装置制造用光掩模,其在透明基板的表面具有对含铬的遮光性膜进行图案化而成的转印图案,并且,在该透明基板的具有转印图案一侧的表面安装有表膜,
该透明基板具有1000cm2以上的面积,
该表膜的表膜用膜的膜厚为0.5μm以上且8μm以下,并且,在温度70℃的气氛中放置了72小时的该表膜用膜的换算成每微米膜厚的草酸透过量为1.0×10-3mg/cm2以下。
15.根据权利要求14所述的光掩模,其中,所述遮光性膜的转印图案通过溅射法而成膜于所述透明基板上、并具有通过蚀刻而图案化的图案剖面。
16.一种图案转印方法,通过在温度15℃以上的气氛中对权利要求14或15所述的光掩模照射包含i射线~g射线的波长范围的曝光光,从而将所述转印图案转印到被转印体上。
17.一种TFT液晶面板的制造方法,其包括以下工序:准备权利要求14或15所述的光掩模的工序;通过该光掩模对具有ITO电极且涂布有感光性抗蚀剂而成的TFT液晶面板基板进行曝光的工序;对该感光性抗蚀剂进行显影的工序;以及用含有草酸的蚀刻液对该ITO电极进行蚀刻的工序。
18.一种表膜,其是与TFT液晶面板制造用掩模一起使用的表膜,该表膜包含框体、层叠于该框体的下边缘表面侧的粘合材料层、以及铺展于该框体的上边缘表面侧的表膜用膜,该表膜用膜的膜厚为0.5μm以上且8μm以下,并且,该表膜用膜在70℃下72小时的草酸透过量为1×10-4mg/cm2以下。
19.根据权利要求18所述的表膜,所述表膜用膜的面积为1000cm2以上且30000cm2以下。
20.根据权利要求18或19所述的表膜,所述表膜用膜由包含环烯烃系树脂的膜材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭化成电子材料株式会社;HOYA株式会社,未经旭化成电子材料株式会社;HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980145885.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备