[发明专利]具有已图案化导电性高分子膜的基板的制造方法及具有已图案化导电性高分子膜的基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有已图案化的导电性高分子膜的基板的制造方法及具有已图案化的导电性高分子膜的基板。

背景技术

目前，作为透明导电膜，使用成分为ITO(氧化铟锡)或ZnO(氧化锌)的无机化合物，但由于铟为稀有元素且无机化合物加工困难，正在研究用导电性高分子代替。

该导电性高分子不仅导电性、光的透过性、发光性优良，而且成膜性、薄膜性、挠性优良，正在进行其在电解电容器、防静电膜、高分子EL、太阳能电池等中的实用化的开发。

例如，电解电容器的情况下，通过使用比该电解质导电性高的导电性高分子，可以制造化学物理性稳定、耐热性优良、且频率特性良好的电解电容器。

另外，通过使导电性高分子在聚合物膜的表面形成薄的膜，可以在保持透明性的同时防止静电，因此，可以作为使用方便的防静电膜、防静电容器使用。

欲代替ITO膜将导电性高分子用于透明导电膜的情况下，需要采用实用上有用的生产性高的图案化方法，对各种图案化法进行研究。

例如，已知利用喷墨印刷法进行的图案化(专利文献1)。

相对于此，进而在形成于基板上的导电性高分子膜之上涂布光致抗蚀剂，使用光刻法在抗蚀膜上形成图案后，将该抗蚀膜作为掩模材料，沿该图案使用蚀刻剂蚀刻下层的导电性高分子的方法具有能够精度良好地形成长宽比高的图案的优点。

例如在专利文献2公开了通过蚀刻对导电性高分子进行图案化的方法。

抗蚀膜的剥离使用溶解力优良的有机溶剂。例如可例示：N，N-二甲基甲酰胺(专利文献3)、二甲基亚砜(专利文献4)、四氢呋喃(专利文献5)。

专利文献1：日本特开2005-109435号公报

专利文献2：日本特开平5-335718号公报

专利文献3：日本特开平01-081949号公报

专利文献4：日本特开昭60-066424号公报

专利文献5：日本特开2003-346575号公报

发明内容

发明要解决的问题

专利文献1中记载的方法通过印刷进行图案化，因此为简便且精密度好的方法，但存在导电性高分子墨液化困难的缺点。

另外，专利文献2中记载的方法需要在导电性高分子的蚀刻后使用有机溶剂剥离上层的抗蚀膜。这种情况下，由于抗蚀膜、导电性高分子膜均为有机高分子，因此需要仅在抗蚀膜与导电性高分子膜的界面剥离、在导电性高分子膜和基板的界面不剥离、且不侵害导电性高分子的溶剂，进而，由于接触蚀刻液的导电性高分子膜的端部易受有机溶剂侵害，特别是在技术上存在难题。

关于专利文献3～5中记载的剥离剂，这些有机溶剂不仅剥离光致抗蚀剂而且渗透图案化的导电性高分子。特别是存在从图案化导电性高分子端部渗透使渗透部分变色、或由于膨润膜厚增加、或图案脱落的问题。

这样的导电性高分子的变色明显降低了作为透明导电膜的功能。例如应用于LCD、PDP、EL显示器及触摸面板这样的使用透明导电膜的各种显示器的情况下，在显示图像的画面出现导电性高分子的图案的影子，对图像的显示造成明显的障碍。

本发明的目的在于解决上述课题，具体而言，其目的在于，提供一种剥离性优良且在从导电性高分子膜剥离抗蚀膜时抑制了导电性高分子膜端部的变色的、具有已图案化的导电性高分子膜的基板的制造方法及利用所述制造方法得到的基板。

用于解决问题的手段

本发明人等进行了专心研究，结果发现通过以下的<1>及<9>中记载的方法可以解决上述问题，从而完成了本发明。与优选实施方式<2>～<8>一同记载于以下部分。

<1>一种具有已图案化的导电性高分子膜的基板的制造方法，其特征在于，依次包含以下工序：形成在基板上依次具有导电性高分子膜和已图案化的抗蚀膜的基板的工序；根据抗蚀膜的图案蚀刻导电性高分子膜的工序；及利用剥离液剥离导电性高分子膜上的抗蚀膜的工序，所述剥离液含有有机溶剂(A)与有机溶剂(B)，所述有机溶剂(A)选自由N-烷基吡咯烷酮、羧酸酰胺化合物、二烷基亚砜及醚化合物构成的组，所述有机溶剂(B)选自由烷内酯、碳酸亚烷基酯及多元醇构成的组，所述有机溶剂(A)的含量为剥离液的5重量％以上40重量％以下，且所述有机溶剂(B)的含量为剥离液的60重量％以上95重量％以下。

<2>如<1>所述的基板的制造方法，其中，所述有机溶剂(A)选自由N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二乙二醇单甲醚及四氢呋喃构成的组。