[发明专利]可调滤波器无效
| 申请号： | 200980146066.9 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102217194A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 门田道雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;H01L41/09;H01L41/18;H03H9/145;H03H9/25 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可调 滤波器 | ||
1.一种可调滤波器，其特征在于，
具备：
弹性表面波谐振子，其具有由LiNbO3或LiTaO3构成且在上表面形成有凹部的压电基板、和由填充于所述凹部的电极材料构成的IDT电极；以及
可变电容器，其与所述弹性表面波谐振子连接。
2.如权利要求1所述的可调滤波器，其特征在于，
所述弹性表面波谐振子还具有以覆盖所述压电基板的上表面的方式设置的SiO2膜。
3.如权利要求2所述的可调滤波器，其特征在于，
所述压电基板由欧拉角(0°，85°～150°，0°)的LiTaO3基板构成。
4.如权利要求3所述的可调滤波器，其特征在于，
所述IDT电极以从由Au、Pt、Cu及Al、以及以它们为主体的合金组成的组中选择的至少一种构成的电极层为主体。
5.如权利要求4所述的可调滤波器，其特征在于，
所述IDT电极具有多根电极指，至少在电极指所在的部分的上方，在SiO2膜的表面上形成有与电极指的厚度相同的高度的凸部。
6.如权利要求4所述的可调滤波器，其特征在于，
所述IDT电极具有多根电极指，在该电极指的上方，所述SiO2膜的表面被平坦化。
7.如权利要求1～6中任一项所述的可调滤波器，其特征在于，
埋入所述压电基板的电极的占空比大于0.5。
8.如权利要求1或2所述的可调滤波器，其特征在于，
所述压电基板由欧拉角(0°，80°～130°，0°)的LiNbO3基板构成。
9.如权利要求8所述的可调滤波器，其特征在于，
所述IDT电极以从由Au、Pt、Cu、W、Ta、Ag、Mo、Ni及Al、以及以它们为主体的合金组成的组中选择的至少一种构成的电极层为主体。
10.如权利要求9所述的可调滤波器，其特征在于，
所述IDT电极具有多根电极指，SiO2膜的表面大致平坦。
11.如权利要求9或10所述的可调滤波器，其特征在于，
所述IDT电极具有多根电极指，至少在电极指所在的部分的上方，在SiO2膜的表面上形成有与电极指的厚度相同的高度的凸部。
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