[发明专利]用于形成导电材料的方法、用于选择性地形成导电材料的方法、用于形成铂的方法及用于形成导电结构的方法

权利要求书

1.一种选择性地形成导电材料的方法，其包括：

移除有机材料及下伏材料中的每一者的一部分以形成延伸穿过所述有机材料且至少部分地延伸到所述下伏材料中的至少一个开口；

清洁由所述至少一个开口所暴露的表面；及

在至少一个开口中选择性地形成导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中移除有机材料及下伏材料中的每一者的一部分包括通过聚合物材料中的至少一个孔口移除所述下伏材料的一部分。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括从由以下各项组成的群组中选择所述有机材料：聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯丁二烯(CR)、聚乙烯醚、聚(乙酸乙烯酯)(PVAc)、聚(氯乙烯)(PVC)、聚硅氧烷、聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、聚氨酯(PU)、聚丙烯酸酯、聚丙烯酰胺、酚醛树脂、聚甲基戊二酰亚胺(PMGI)、聚甲基硅烷(PMS)、非芳族聚合物、聚环烯烃以及其共聚物及混合物。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括从由以下各项组成的群组中选择所述有机材料：基于重氮萘醌的材料、基于聚羟基苯乙烯的材料、基于苯酚甲醛树脂的材料及基于环氧树脂的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中清洁由至少一个开口所暴露的表面包括使由所述至少一个开口所暴露的所述表面经受包括氟化氢的溶液及包括臭氧的等离子体中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述至少一个开口中选择性地形成导电材料包括通过原子层沉积来沉积所述导电材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中通过原子层沉积来沉积所述导电材料包括使前驱物气体选择性地与所述下伏材料反应而不使所述前驱物气体与所述有机材料反应。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在至少一个开口中选择性地形成导电材料包括在至少一个开口中选择性地形成铂、钛、钽、铱、铑、钌、铜、其氧化物或氮化物、其组合或其合金。

9.根据权利要求1所述的方法，其中移除有机材料及下伏材料中的每一者的一部分包括移除有机材料及绝缘材料中的每一者的一部分以形成由所述绝缘材料的侧壁及衬底的上表面界定的至少一个开口。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述至少一个开口中选择性地形成导电材料包括在所述下伏材料的经暴露表面上形成导电材料而不在所述有机材料上形成所述导电材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述至少一个开口中选择性地形成导电材料包括将所述至少一个开口暴露于(三甲基)甲基环戊二烯铂。

13.一种选择性地沉积铂的方法，其包括：

将铂前驱物气体引入到材料的通过有机材料中的开口暴露的表面；及

使所述铂前驱物气体与所述材料的所述表面反应以在其上形成铂而不使所述铂前驱物气体与所述有机材料反应。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在将所述铂前驱物气体引入到所述材料的所述表面之前施加能够移除所述表面上的有机残余物的蚀刻剂。

15.根据权利要求13所述的方法，其中使所述铂前驱物气体与所述材料的所述表面反应包括从由以下各项组成的群组中选择所述铂前驱物气体：(三甲基)甲基环戊二烯铂、(三甲基)环戊二烯基(C₅H₅)Pt(CH₃)₃、Pt(乙酰基丙酮酸盐)₂、Pt(PF₃)₄、Pt(CO)₂Cl₂、顺式-[Pt(CH₃)₂((CH₃)NC)₂]及六氟乙酰丙酮铂。