[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200980146117.8 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102217058A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 板垣孝俊 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/82;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 曾贤伟;范胜杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
1.一种半导体集成电路装置，其特征在于，
具备：一个半导体基板；
在所述半导体基板上形成的数字电路；以及
在所述半导体基板上形成的模拟电路，
所述半导体集成电路装置被划分为形成所述数字电路的数字电路区域和形成所述模拟电路的模拟电路区域，
所述模拟电路区域被划分为形成所述模拟电路的有源元件的有源元件区域、和形成所述模拟电路的电阻或电容器的电阻电容元件区域，
将所述电阻电容元件区域配置在与所述数字电路区域相邻的区域，
将所述有源元件区域配置在远离所述数字电路区域的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，
所述电阻电容元件区域被划分为形成所述模拟电路的电阻的电阻元件区域和形成所述模拟电路的电容器的电容元件区域。
3.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，
通过在所述电阻电容元件区域的元件分离膜上隔着绝缘层分离相对的两个金属配线层形成了所述模拟电路的电容器。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，
通过在所述电阻电容元件区域的元件分离膜上设置的多晶硅配线层形成了所述模拟电路的电阻。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体集成电路装置，其特征在于，
还具备：在所述模拟电路区域和所述数字电路区域的边界上设置的第一保护带。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置，其特征在于，
还具备：在所述有源元件区域和所述电阻电容元件区域的边界上设置的第二保护带。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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