[发明专利]电子元件有效
| 申请号： | 200980146134.1 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102216764A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | R.菲克斯;F.施雷;O.沃尔斯特;I.道米勒;A.马丁;M.勒-胡;M.孔策 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414;H01R4/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子元件 | ||
1.电子元件，包括衬底（3）上的印制导线结构（5）以及膜（7），所述膜与所述印制导线结构（5）接触，其中所述膜（7）具有比所述印制导线结构（5）小的层厚（h），其特征在于，所述印制导线结构（5）具有为接触而由所述膜（7）覆盖的区域（11）。
2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述印制导线结构（5）具有在10nm至1μm的范围中的高度（H）。
3.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，由所述膜（7）覆盖的区域（11）具有比所述膜（7）小的层厚（d）。
4.根据权利要求3所述的电子元件，其特征在于，被覆盖的区域（11）具有在1至200 nm的范围中的层厚（d）。
5.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，由所述膜（5）覆盖的区域（11）邻接另一层（15），其中被覆盖的区域（11）和所述另一层（15）具有基本相同的层厚（h）。
6.根据权利要求5所述的电子元件，其特征在于，所述衬底（3）和所述另一层（15）由相同的材料制成。
7.根据权利要求1至6之一所述的电子元件，其特征在于，所述衬底（3）是半导体材料。
8.根据权利要求1至7之一所述的电子元件，其特征在于，用于所述印制导线结构（5）的材料从由钛、铂、金、铝、铜、铬、镍、钽以及所述元素的化合物和合金组成的组中选择。
9.根据权利要求1至8之一所述的电子元件，其特征在于，用于所述膜（7）的材料从由钛、铂、金、铝、铜、铬、镍、钽以及所述元素的化合物和合金组成的组中选择。
10.根据权利要求1至9之一所述电子元件，其特征在于，所述膜（7）是多孔的。
11.根据权利要求1至10之一所述的方法，其特征在于，所述电子元件（1）是气敏场效应晶体管。
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