[发明专利]用于基材处理的高温测定

权利要求书

1.一种基材处理系统，包含：

处理腔室；

底座，用以支撑设置于所述处理腔室内的基材；

光学高温测定组件，用以量测实质上源自所述底座的边缘的发射光，所述光学高温测定组件包含：

光接收器；及

光学侦测器；

其中所述光学高温测定组件接收所述发射光的一部分；且

其中所述底座的温度是由所述发射光的所述部分在至少一个波长附近的强度而确定。

2.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光接收器设置于所述处理腔室内。

3.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述处理腔室的一部分为透明的，以允许来自加热灯的光的一部分进入所述处理腔室。

4.如权利要求3所述的基材处理系统，其中所述至少一个波长中的一或多个大于3μm。

5.如权利要求1所述的基材处理系统，其中经接收的所述发射光的所述部分包含在第一波长处具有第一强度的光及在第二波长处具有第二强度的光，且其中所述底座的温度是由所述第一强度与所述第二强度的比率而确定。

6.如权利要求1所述的基材处理系统，还包含鞘，其中所述鞘延伸超出所述光接收器至少0.005英寸。

7.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述光接收器在所述底座的边缘的0.200英寸内。

8.如权利要求1所述的基材处理系统，其中所述底座具有一或多个特征结构位于所述底座的边缘上，以增加邻近所述一或多个特征结构的处于至少一个波长附近的表观光学发射率。

9.一种基材处理系统，包含：

处理腔室；

光学高温测定组件，用以量测实质上源自基材的一部分的发射光，所述光学高温测定组件包含：

光接收器；及

光学侦测器；

其中所述光学高温测定组件接收所述发射光的一部分；

其中所述光接收器设置于所述处理腔室之内；且

其中所述基材的温度是由所述发射光的所述部分在至少一个波长附近的强度而确定。

10.如权利要求9所述的基材处理系统，其中所述基材的温度小于约摄氏650度。

11.如权利要求9所述的基材处理系统，其中所述至少一个波长中的一或多个小于约1.2μm。

12.如权利要求9所述的基材处理系统，其中所述光接收器的数值孔径小于约0.1。

13.如权利要求9所述的基材处理系统，其中所述处理腔室的一部分为透明的，以允许来自加热灯的光的一部分进入所述处理腔室。

14.如权利要求9所述的基材处理系统，还包含鞘，其中所述鞘延伸超出所述光接收器至少0.005英寸。

15.如权利要求9所述的基材处理系统，其中所述光接收器在所述基材的边缘的0.200英寸内。