[发明专利]有机电子器件的制备方法无效

专利信息
申请号: 200980146423.1 申请日: 2009-11-09
公开(公告)号: CN102224274A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: M·卡拉斯克-欧罗兹克;P·C·布鲁克斯;K·帕特森;F·E·迈耶;M·詹姆斯;T·库尔;D·C·米勒 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/20;C23C14/35;H01L51/10;H01L51/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 邓毅
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 有机 电子器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.通过闭合场非平衡磁控溅射离子镀将导电材料沉积在有机材料上的方法。

2.制造光学、电光学或有机电子器件或其组件的方法,包括通过闭合场非平衡磁控溅射离子镀将导电材料的层沉积在有机材料层上的步骤。

3.权利要求1或2的方法,其特征在于,其使用包括下列的磁控溅射离子镀体系:

-用于支撑待涂布的衬底的保持设备,

-产生指向所述待涂布衬底的电场的电场设备,

-包括至少两个磁控管的磁场设备,每个磁控管具有内磁极和外磁极,所述外磁极的极性与所述内磁极的极性相反,

其中使用时在所述保持设备上提供待涂布衬底,并通过所述电场使其在电偏置成为阴极,以将离子吸引到衬底上,

和其中至少一个所述磁控管是非平衡磁控管,且一个所述磁控管的所述外磁极和另一相邻磁控管的所述外环磁极是相反极性的并且彼此足够接近,使得实质上的磁场在所述外磁极之间延伸,以防止离子化电子在相邻磁控管之间的实质逃逸,使得这些所述电子不会损失且可用于在所述电偏置衬底上增强离子化,

和其中所述磁场设备产生等离子体保持场,所述等离子体保持场通过所述相邻磁控管的所述外磁极之间的直接磁链产生,且其中所述衬底在所述等离子体保持场内部。

4.权利要求1-3中一项或多项的方法,其特征在于,所述有机材料是介电材料。

5.权利要求2-4中一项或多项的方法,其特征在于,所述有机材料层是栅绝缘层。

6.权利要求1-5中一项或多项的方法,其特征在于,所述有机材料是有机聚合物或交联的有机聚合物。

7.权利要求1-6中一项或多项的方法,其特征在于,所述有机材料选自:氟化或全氟化的烃聚合物、BCB(苯并环丁烯)或BCB聚合物、聚丙烯酸酯、聚环烯烃、氟化对-二甲苯、氟化聚芳基醚、氟化聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(α-乙烯基萘)、聚(乙烯基甲苯)、聚乙烯、顺式聚丁二烯、聚丙烯、聚异戊二烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(4-甲基苯乙烯)、聚(氯三氟乙烯)、聚(2-甲基-1,3-丁二烯)、聚(p-亚二甲苯基)、聚(α-α-α′-α′四氟-p-亚二甲苯基)、聚[1,1-(2-甲基丙烷)双(4-苯基)碳酸酯]、聚(甲基丙烯酸环己酯)、聚(氯苯乙烯)、聚(2,6-二甲基-1,4-亚苯基醚)、聚异丁烯、聚(乙烯基环己烷)、聚(肉桂酸乙烯酯)、聚(4-乙烯基联苯)、聚(1,3-丁二烯)、聚亚苯基、聚环烯烃,聚(乙烯/四氟乙烯)、聚(乙烯/氯三氟乙烯)、氟化乙烯/丙烯共聚物、聚苯乙烯-共聚-α-甲基苯乙烯、乙烯/丙烯酸乙酯共聚物、聚(苯乙烯/10%丁二烯)、聚(苯乙烯/15%丁二烯)、聚(苯乙烯/2,4二甲基苯乙烯)的规则、无规或嵌段共聚物,和含有前述聚合物的一种或多种单体单元的共聚物。

8.权利要求1-7中一项或多项的方法,其特征在于,所述有机材料选自:聚丙烯、聚异丁烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚异戊二烯、聚(乙烯基环己烷)、BCB聚合物、聚丙烯酸酯、聚环烯烃、氟化烃共聚物、全氟化烃聚合物、和含有前述聚合物的一种或多种单体单元的共聚物。

9.权利要求8的方法,其特征在于,所述有机材料选自BCB聚合物、聚环烯烃和聚丙烯酸酯。

10.权利要求1-9中一项或多项的方法,其特征在于,所述有机材料的电容率为1.0-5.0。

11.权利要求10的方法,其特征在于,所述有机材料的电容率为1.8-4.0。

12.权利要求2-11中一项或多项的方法,其特征在于,所述导电材料的层是电极。

13.权利要求1-12中一项或多项的方法,其特征在于,所述导电材料选自金属、金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物、碳、氧化硅、氮化硅、或者一种或多种前述材料的混合物或结合物。

14.权利要求14的方法,其特征在于,所述导电材料选自Au、Ag、Cu、Al、Ni、Co、Cu、Cr、Pt、Pd、Ca、W、In、Pb、ITO(氧化铟锡)、AZO(氧化铝锌)和GaInZnO。

15.权利要求1-14中一项或多项的方法,其特征在于,溅射的导电材料层的厚度为5nm-1μm。

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