[发明专利]具衬底内分布式发射器的光伏电池及制造此电池的方法有效

专利信息
申请号: 200980146434.X 申请日: 2009-11-20
公开(公告)号: CN102224597A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 珍-保尔·格兰德特;闾客·妃德中尼;扬尼克·维斯切蒂 申请(专利权)人: 法国原子能与替代能委员会
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 法国巴黎市波*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 衬底 分布式 发射器 电池 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光伏电池(100),其特征在于:其包含一由第一型导电性半导体所组成的衬底(102),包含实质上相互平行的二主面(104、106),此处所述衬底(102)包含复数个盲孔(108),其开口位于所述二主面的单个主面(106),且此处所述盲孔(108)是由与第一型导电性相反的第二型导电性半导体(110)所填充而形成所述光伏电池(100)的发射器,此处所述衬底(102)形成所述光伏电池(100)的底座,此处所述光伏电池(100)在包含所述盲孔(108)的所述开口的所述衬底(102)的所述主面(106)上,也包含由至少一所述第二型导电性半导体所组成与所述光伏电池(100)的所述发射器(110)接触的第一集电极引脚(112),以及由至少一所述第一型导电性半导体所组成与所述衬底(102)接触并与所述第一集电极引脚(112)相互交叉的第二集电极引脚(114)。

2.根据权利要求1所述的光伏电池(100),其特征在于:每一盲孔(108)具有一实质上与所述衬底(102)的所述二主面(104、106)垂直的中心对称轴。

3.根据前述权利要求中任一项所述的光伏电池(100),其特征在于:每一盲孔(108)在穿过包含所述盲孔(108)的所述开口的所述衬底(102)的所述主面(106)的一平面上,包含一面积比所述盲孔(108)的底壁面积大的截面。

4.根据权利要求3所述的光伏电池(100),其特征在于:就每一盲孔(108)而言,在穿过所述盲孔的所述开口所处的所述衬底(102)的所述主面(106)的所述平面的区域上的所述盲孔(108)的所述截面的面积,与所述盲孔(108)的所述底壁面积之间的比率为1至3。

5.根据前述权利要求中任一项所述的光伏电池(100),其特征在于:每一盲孔(108)具有一实质上截顶的圆锥或尖拱形状。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光伏电池(100),其特征在于:每一盲孔(108)在一与所述衬底(102)的所述主面(104、106)中任一主面平行的平面上,具有一多边形状的截面。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光伏电池(100),其特征在于:所述衬底(102)的所述主面(104、106)中至少一主面是结构化的。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光伏电池(100),其特征在于:所述发射器的所述第二型导电性半导体(110)中每立方厘米的掺杂原子浓度为1016至1021、或1018至1020,而所述衬底(102)的所述第一型导电性半导体中每立方厘米的掺杂原子浓度为1015至1018、或1016至1017

9.根据前述权利要求中任一项所述的光伏电池(100),其特征在于:所述衬底(102)的厚度小于300微米且每一盲孔(108)的深度较所述衬底(102)的一半厚度大。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光伏电池(100),其特征在于:所述第二集电极引脚(114)的所述第一型导电性半导体以及所述第一集电极引脚(112)的所述第二型导电性半导体中每立方厘米的掺杂原子浓度为1019至1021。

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