[发明专利]像素电路、固态摄像器件和相机系统有效

专利信息
申请号: 200980146674.X 申请日: 2009-11-25
公开(公告)号: CN102224730A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 西原利幸 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H04N5/3745 分类号: H04N5/3745;H04N5/359;H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李渤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 像素 电路 固态 摄像 器件 相机 系统
【权利要求书】:

1.一种像素电路,包括:

光电转换元件;

放大电路;以及

能够将由所述光电转换元件生成的电荷转移到所述放大电路的输入节点的转移晶体管,

其中所述转移晶体管具有从所述光电转换元件朝向所述放大电路一侧集成地串联连接的第一、第二和第三场效应晶体管,

所述第一和第二场效应晶体管的栅电极被同时共同驱动,并且所述第一场效应晶体管的阈值电压被设置为高于所述第二场效应晶体管的阈值电压,并且

随着所述栅电极被逐步驱动,由所述光电转换元件生成并经由所述第一场效应晶体管转移的电荷被累积在所述第二场效应晶体管的沟道区中,并且

累积在所述沟道区中的电荷经由所述第三场效应晶体管被转移到所述放大电路的输入,并且

其中所述放大电路驱动信号线,使得所累积的电荷被读取。

2.如权利要求1所述的像素电路,

其中所述第三场效应晶体管的栅电极具有固定电位。

3.如权利要求1所述的像素电路,

其中如果脉冲被施加到栅电极,则所述第三场效应晶体管将电荷从所述第二场效应晶体管的沟道区转移到所述放大电路的输入。

4.如权利要求2所述的像素电路,

其中所述转移晶体管具有以下功能:在所述第一和第二场效应晶体管的栅电极被维持在中间电压时,在预定时段期间保留累积在所述第二场效应晶体管的沟道区中的电荷。

5.如权利要求3所述的像素电路,

其中所述转移晶体管具有以下功能:通过将所述第一和第二场效应晶体管的栅电极与所述第三场效应晶体管的栅电极一起维持在预定电平来保持累积在所述第二场效应晶体管的沟道区中的电荷。

6.如权利要求1所述的像素电路,

其中所述转移晶体管具有累积功能和读取功能,

所述累积功能通过将所述第一场效应晶体管维持在导通状态并且将电荷直接转移到所述第二场效应晶体管的沟道区来累积由所述光电转换元件生成的电荷,

所述读取功能将所累积的电荷经由所述第三场效应晶体管转移到所述放大电路。

7.如权利要求1所述的像素电路,

其中

所述转移晶体管通过将由所述光电转换元件生成的第一累积信号经由所述第一场效应晶体管转移到所述第二场效应晶体管的沟道区来累积所述第一累积信号,

在电荷已被累积在所述第二场效应晶体管的沟道区中的状态下,在所述光电转换元件开始第二累积并且生成第二累积信号期间,所述第一场效应晶体管截止,

所述转移晶体管执行第一读取,所述第一读取将所述第一累积信号经由所述第三场效应晶体管转移到所述放大电路的输入,并且

所述转移晶体管执行第二读取,所述第二读取将所述第二累积信号经由所述第一、第二和第三场效应晶体管转移到所述放大电路。

8.如权利要求1所述的像素电路,

其中

所述光电转换元件以及包括所述第一、第二和第三场效应晶体管的转移晶体管被排列在多个像素的每一个中,并且

所述放大电路在所述多个像素之间共享。

9.一种像素电路,包括:

光电转换元件;

放大电路;以及

能够将由所述光电转换元件生成的电荷转移到所述放大电路的输入节点的转移晶体管,

其中所述转移晶体管具有从所述光电转换元件朝向所述放大电路一侧集成地串联连接的第一和第二场效应晶体管,

所述第一和第二场效应晶体管的栅电极被同时共同驱动,并且所述第一场效应晶体管的阈值电压被设置为高于所述第二场效应晶体管的阈值电压,并且

随着所述栅电极被逐步驱动,由所述光电转换元件生成并经由所述第一场效应晶体管转移的预定量的电荷被累积在所述第二场效应晶体管的沟道区中,并且

累积在所述沟道区中的电荷被转移到所述放大电路的输入,并且

其中所述放大电路驱动信号线,使得所累积的电荷被读取。

10.如权利要求9所述的像素电路,

其中

所述光电转换元件以及包括所述第一和第二场效应晶体管的转移晶体管被排列在多个像素的每一个中,并且

所述放大电路在所述多个像素之间共享。

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