[发明专利]p型SiC半导体有效
| 申请号： | 200980146754.5 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102224592A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 斋藤广明;关章宪;木本恒畅 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种p型SiC半导体，其包括含有作为杂质的Al和Ti的SiC晶体，其中Ti的原子数目浓度等于或小于Al的原子数目浓度。
2.根据权利要求1的p型SiC半导体，其中Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：
Al的浓度≥5×1018/cm3；以及
0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。
3.根据权利要求2的p型SiC半导体，其中Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：
5×1018/cm3≤Al的浓度≤1×1020/cm3；以及
0.01％≤(Ti的浓度)/(Al的浓度)≤20％。
4.根据权利要求1的p型SiC半导体，其中Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：
Al的浓度≥5×1018/cm3；以及
1×1017/cm3≤Ti的浓度≤1×1018/cm3。
5.根据权利要求4的p型SiC半导体，其中Al的浓度和Ti的浓度满足以下关系：
5×1018/cm3≤Al的浓度≤1×1020/cm3；以及
1×1017/cm3≤Ti的浓度≤1×1018/cm3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社，未经丰田自动车株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980146754.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气门自动切槽机
- 下一篇：一种能接入核电厂反应堆内的消防水管应急冷却装置
- 同类专利
- 专利分类
