[发明专利]低压电源

权利要求书

1.一种用于将输入DC电压V⁺转换成输出DC电压电平的降压调节器，包括：

耦合电感器，用于输出DC电压电平；

脉宽调制器(PWM)，具有用于感测所输出的DC电压电平中的误差的误差放大器，并且该脉宽调制器提供具有响应于所述误差的占空比的脉冲波形；

V⁺供电电压驱动器，用于输出响应于所述脉冲波形的V⁺电压电平；

超压驱动器，用于输出响应于所述脉冲波形的超压电平，其中所述超压电平高于所述V⁺电压电平；

所输出的超压电平与所输出的V⁺电压电平互补；

双MOSFET，分别具有接收所述超压电平和所述V⁺电压电平的栅极；以及

所述双MOSFET驱动用于输出DC电压电平的所述耦合电感器。

2.根据权利要求1所述的降压调节器，包括：

超压发生器，用于形成所述超压电平并向所述超压驱动器提供所述超压电平。

3.根据权利要求1所述的降压调节器，包括：

脉冲成形器，被耦接在所述PWM与所述电压驱动器之间，用于形成上升时间比所述脉冲波形的上升时间更快的尖脉冲，以及

提供所述尖脉冲作为控制信号，以激活所述电压驱动器。

4.根据权利要求3所述的降压调节器，其中

所述脉冲成形器包括至少一个反相器，用于使所述尖脉冲成形。

5.根据权利要求4所述的降压调节器，其中

所述脉冲成形器包括串联连接的两个反相器，用于使所述尖脉冲成形。

6.根据权利要求3所述的降压调节器，其中

所述PWM包括集电极开路比较器和电阻性负载，用于响应于所述误差来提供所述脉冲波形。

7.根据权利要求1所述的降压调节器，其中

所述双MOSFET被配置为图腾柱设置，并且被耦接在所述V⁺供电电压电平和接地电位之间，用于驱动所述耦合电感器。

8.根据权利要求1所述的降压调节器，其中

所述电压驱动器被配置为在不提供所述V⁺电压电平时提供所述超压电平；以及

在不提供所述超压电平时提供所述V⁺电压电平。

9.根据权利要求1所述的降压调节器，包括：

误差放大器，用于通过将所述输出DC电压电平与参考电压进行比较来生成命令信号；

其中所述PWM将斜坡波形与所述误差放大器生成的命令信号进行比较，从而提供具有响应于所述误差的占空比的所述脉冲波形。

10.根据权利要求1所述的降压调节器，其中

所述耦合电感器包括初级线圈和次级线圈，以及

所述初级线圈被耦接在所述双MOSFET与所述电容器之间，用于提供所述输出DC电压电平。

11.根据权利要求10所述的降压调节器，其中

所述次级线圈包括被耦接至所述初级线圈的末端的一端以及被耦接至整流器的所述次级线圈的另一端，用于提供另一输出DC电压电平。

12.根据权利要求1所述的降压调节器，包括：

脉冲成形器，被耦接在所述PWM与所述电压驱动器之间，用于形成上升时间比所述脉冲波形的上升时间更快的尖脉冲，以及

提供所述尖脉冲作为控制信号，用于激活所述电压驱动器，

其中所述脉冲成形器被布置在具有多个反相器的芯片中，以及

所述脉冲成形器基于用于激活所述电压驱动器的极性的感测而被配置为包括所述多个反相器的至少一个。

13.一种低压调节电源，包括：

轨道，用于提供输出DC电压电平；

感测反馈信号，用于从所述轨道向误差检测器提供所述输出DC电压电平；

其中所述误差检测器被配置为响应于所述感测反馈信号来提供控制信号，用于控制高速、高功率的上驱动器和下驱动器；

高速、高功率的所述驱动器被配置为响应于所述控制信号来驱动双MOSFET配置，以及

高速、高功率的所述驱动器被配置为以彼此互补的方式运行，用于有效驱动所述双MOSFET配置，从而在所述轨道上生成所述输出DC电压电平。