[发明专利]用于沟槽与介层洞轮廓修饰的方法与设备

权利要求书

1.一种处理基板的方法，至少包括：

于该基板上形成沟槽结构，其中该沟槽结构的侧壁包括第一材料；及

拓宽该沟槽结构的顶部开口，其中该拓宽顶部开口的步骤包括：

通过让该基板接触蚀刻剂而形成牺牲层来夹封该沟槽结构的顶部开口，其中该牺牲层包括该蚀刻剂与该第一材料间的反应的副产物；

通过持续让该基板接触该蚀刻剂而让该蚀刻剂与该第一材料进一步反应；及

自该基板移除该牺牲层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻剂设以通过与该第一材料反应并产生该副产物而移除该第一材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中该形成牺牲层的步骤包括让该基板接触由该蚀刻剂产生的等离子体。

4.如权利要求1所述的方法，还包括沉积第二材料以填充该具有经拓宽的开口的沟槽结构。

5.如权利要求4所述的方法，其中该形成牺牲层的步骤包括：

确定该蚀刻剂的第一流率好让该副产物夹封该顶部开口；

在该第一流率下流动该蚀刻剂以夹封该顶部开口。

6.如权利要求5所述的方法，其中该拓宽顶部开口的步骤还包括：

提高该第一流率以增加拓宽程度。

7.如权利要求5所述的方法，其中：

该第一材料包括氮化硅、氧化硅、或上述的组合之一者，而该蚀刻剂包括含氟、氮与氢源。

8.如权利要求7所述的方法，其中该蚀刻剂包括三氟化氮(NF₃)与氨(NH₃)的混合物；三氟化氮(NF₃)与氢气(H₂)的混合物；三氟化氮(NF₃)、氢气(H₂)与氮气(N₂)的混合物；三氟化氮(NH₃)与氟化氢(HF)的混合物；或其他类似的含氟、氮与氢源之一者。

9.如权利要求7所述的方法，其中该第二材料包括用于互连结构的导电材料、用于相变存储器的锗-硒-碲(GST)填充、或用于金属栅极的栅极金属填充之一者。

10.如权利要求7所述的方法，其中该移除牺牲层的步骤包括退火该基板。

11.如权利要求1所述的方法，其中该形成沟槽结构的步骤包括：

形成沟槽于该基板上；及

沉积衬垫层于该基板上，其中该衬垫层包括该第一材料。

12.一种处理基板的方法，至少包括：

将该基板置于处理腔室中，其中该基板具有沟槽结构，而该沟槽结构的侧壁包括第一材料；

流动第一处理气体至该处理腔室以形成牺牲层来夹封该沟槽结构的顶部开口；

在已经夹封该顶部开口之后持续该第一处理气体的流动；及

退火该基板以自该沟槽结构移除该牺牲层。

13.如权利要求12所述的方法，还包括：

确定该第一处理气体的第一流率好让该副产物夹封该沟槽结构的顶部开口，其中该第一处理气体设以通过与该第一材料反应以产生该副产物而移除该第一材料。

14.如权利要求13所述的方法，其中该确定第一流率的步骤包括：

提高该第一流率以在移除该牺牲层之后得到更加拓宽的顶部开口；及

降低该第一流率以在移除该牺牲层之后得到较没拓宽的顶部开口。

15.如权利要求14所述的方法，其中该第一处理气体包括三氟化氮(NF₃)与氨(NH₃)的混合物；三氟化氮(NF₃)与氢气(H₂)的混合物；三氟化氮(NF₃)、氢气(H₂)与氮气(N₂)的混合物；三氟化氮(NH₃)与氟化氢(HF)的混合物；或其他类似的含氟、氮与氢源之一者。