[发明专利]溅射装置、溅射方法和电子器件制造方法

权利要求书

1.一种溅射装置，其特征在于包括：

基板保持器，保持基板以使该基板能够沿基板的处理面的面方向旋转；

基板磁场形成装置，被布置在基板周围，用于在基板的处理面上形成磁场；

阴极，被布置在与基板斜向对置的位置处，并且接收放电功率；

位置检测装置，用于检测基板的旋转位置；和

功率控制装置，用于根据由所述位置检测装置检测的旋转位置来控制向所述阴极施加的功率。

2.根据权利要求1的溅射装置，其特征在于，所述基板磁场形成装置能够与基板同步地旋转，并且形成沿基板的处理面具有方向特性的磁场。

3.根据权利要求1的溅射装置，其特征在于，所述功率控制装置基于基板的特定位置和所述阴极之间的位置关系来控制功率。

4.根据权利要求3的溅射装置，其特征在于，基板上由于磁场的形成状态导致溅射微粒的飞散量大的第一部分位于所述阴极附近时，所述功率控制装置施加第一功率，并且，在溅射微粒的飞散量比第一部分处的溅射微粒的飞散量小的第二部分位于所述阴极附近时，所述功率控制装置施加比第一功率高的第二功率。

5.根据权利要求3的溅射装置，其特征在于，随着第一部分接近所述阴极，所述功率控制装置将输入功率逐渐减小到第一功率，并且，随着第二部分接近所述阴极，所述功率控制装置将输入功率逐渐增大到第二功率。

6.根据权利要求1的溅射装置，其特征在于，所述功率控制装置控制向所述阴极施加的功率，以便作为关于基板的旋转角的正弦波函数而获得功率值。

7.一种溅射方法，其特征在于包括：通过在沿基板的处理面的面方向旋转基板并且在该处理面上形成磁场的同时向被布置在与基板斜向对置的位置处的阴极施加根据通过位置检测装置检测的基板的旋转位置而调整的功率，执行膜沉积。

8.根据权利要求7的溅射方法，其特征在于，磁性膜被沉积。

9.一种电子器件制造方法，其特征在于包括膜沉积步骤，通过在沿基板的处理面的面方向旋转基板并且在该处理面上形成磁场的同时向被布置在与基板斜向对置的位置处的阴极施加根据通过位置检测装置检测的基板的旋转位置而调整的功率，通过溅射方法沉积膜。

10.根据权利要求1的溅射装置，其特征在于还包括：

多个阴极，分别被布置在与基板斜向对置的位置处并且接收放电功率；

多个功率控制装置，与各个所述阴极相应地被布置，各功率控制装置用于根据由所述位置检测装置检测的旋转位置来控制向相应的所述阴极施加的功率；和

膜沉积控制装置，用于通过经由所述多个功率控制装置向所述多个阴极施加放电功率，通过对由所述基板保持器保持的基板的共溅射，执行膜沉积。

11.根据权利要求10的溅射装置，其特征在于，所述功率控制装置基于基板的特定位置和所述相应的阴极之间的位置关系来控制功率。

12.根据权利要求11的溅射装置，其特征在于，基板上由于磁场的形成状态导致溅射微粒的飞散量大的第一部分位于所述相应的阴极附近时，所述功率控制装置施加第一功率，并且，在溅射微粒的飞散量比第一部分处的溅射微粒的飞散量小的第二部分位于所述相应的阴极附近时，所述功率控制装置施加比第一功率高的第二功率。

13.根据权利要求11的溅射装置，其特征在于，随着第一部分接近所述相应的阴极，所述功率控制装置将输入功率逐渐减小到第一功率，并且，随着第二部分接近所述相应的阴极，所述功率控制装置将输入功率逐渐增大到第二功率。

14.根据权利要求10的溅射装置，其特征在于，所述功率控制装置控制向所述相应的阴极施加的功率，以便作为关于基板的旋转角的正弦波函数而获得功率值。

15.根据权利要求10的溅射装置，其特征在于，所述功率控制装置基于根据要被溅射的靶材料而设定的控制模式来调整向所述相应的阴极施加的功率。

16.根据权利要求10的溅射装置，其特征在于，所述功率控制装置基于根据所述相应的阴极和其余的所述阴极之间的位置关系而设定的控制模式来调整向所述相应的阴极施加的功率。