[发明专利]半导体基板、电子器件、及半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板，其特征在于，包括：

底板基板；

设置在所述底板基板上的晶种；

设置于所述晶种上方的化合物半导体；和

设置于所述晶种和所述化合物半导体之间、具有比所述晶种大的电阻率的高电阻层，

其中，所述晶种和所述化合物半导体晶格匹配或者准晶格匹配。

2.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

在平行于所述底板基板的主面的方向上所述化合物半导体的晶格间距离与在平行于所述主面的方向上所述晶种的晶格间距离大致相同。

3.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述高电阻层与所述晶种晶格匹配或准晶格匹配，所述化合物半导体与所述高电阻层晶格匹配或准晶格匹配。

4.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

还包括形成于所述底板基板上、阻挡所述晶种的前体生长成为晶体的阻挡层，

形成有贯通所述阻挡层直至所述底板基板的开口；

所述晶种设置于所述开口的内部。

5.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述晶种包含Si_xGe_1-x晶体，其中0≤x＜1。

6.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述底板基板是Si基板、SOI基板、或GOI基板。

7.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述高电阻层包含氧化物电介质。

8.根据权利要求7所述的半导体基板，其特征在于，

所述氧化物电介质是选择性地氧化所述化合物半导体的一部分而形成的。

9.根据权利要求8所述的半导体基板，其特征在于，

所述氧化物电介质是氧化包含Al的III-V族化合物半导体而形成的。

10.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述高电阻层包括：包含B的III-V族化合物半导体、或者掺杂了氧的包含Al的III-V族化合物半导体。

11.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

所述晶种是p型半导体，所述化合物半导体是n型半导体，所述高电阻层是所述化合物半导体的耗尽层。

12.根据权利要求11所述的半导体基板，其特征在于，

所述晶种是高浓度的p型Ge，所述化合物半导体是低浓度的n型Al_yGa_1-yAs，其中0≤y≤1。

13.根据权利要求11所述的半导体基板，其特征在于，

所述晶种是低浓度p型SiGe，所述化合物半导体是低浓度n型In_zGa_1-zP，其中0≤z≤1。

14.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

通过以下方式制造：

在所述底板基板上设置所述晶种、

使与所述晶种晶格匹配或准晶格匹配的前体层晶体生长、

使与所述前体层晶格匹配或准晶格匹配的所述化合物半导体晶体生长、以及

选择性地氧化所述前体层而形成所述高电阻层。

15.根据权利要求14所述的半导体基板，其特征在于，

所述晶种包含Si_xGe_1-x晶体，其中0≤x＜1，

所述前体层包括包含Al的III-V族化合物半导体。

16.根据权利要求1所述的半导体基板，其特征在于，

通过如下方式而制造：

在所述底板基板上形成阻挡所述晶种的前体生长成为晶体的阻挡层，

在所述阻挡层上形成贯通所述阻挡层直至所述底板基板的开口，

将所述晶种设置于所述开口内部，

使与所述晶种晶格匹配或准晶格匹配的前体层晶体生长，

使与所述前体层晶格匹配或准晶格匹配的所述化合物半导体晶体生长，以及

选择性地氧化所述前体层，形成所述高电阻层。