[发明专利]光致抗蚀剂剥离剂组合物、层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法和制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，详细地说，涉及一种适用于以液晶显示器为代表的平板显示器(以下，也称作FPD)基板和半导体基板的铜或铜合金布线基板的、具有良好的防蚀性和剥离性的光致抗蚀剂剥离剂组合物、使用上述光致抗蚀剂剥离剂组合物的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法以及层积金属布线基板的制造方法。

背景技术

FPD基板和半导体基板具有设置了微细布线的电极结构，在其制造工序中使用了光致抗蚀剂。例如，在形成于基板上的铝、铝合金、铜、铜合金等导电性金属层或SiO2膜等绝缘膜上，涂布光致抗蚀剂，对其进行曝光、显影处理而形成抗蚀剂图案，将该图案化的抗蚀剂作为掩模而对上述导电性金属层或绝缘膜等进行蚀刻，形成微细布线之后，用剥离剂除去不再需要的光致抗蚀剂层来制造。

以往，作为光致抗蚀剂剥离剂组合物，使用有机碱、无机碱、有机酸、无机酸、极性溶剂等单一溶剂、或者它们的混合溶液。另外，为了提高光致抗蚀剂剥离性，使用胺和水的混合液也是众所周知的。要求光致抗蚀剂剥离剂组合物不腐蚀微细布线。作为布线材料，以往经常使用铝，因此进行了很多关于对铝的腐蚀抑制的研究。

但是近年来，伴随着基板的大型化和布线图案的微细化，尝试使用电阻率比铝低的铜或铜合金作为布线材料。铜是在含碱溶液中容易腐蚀的金属，而且其腐蚀溶解机理与铝不同，对铝有效的腐蚀抑制对策对酮几乎没有效果。因此，研究了对铜或铜合金有效的防蚀剂。例如，专利文献1中记载了含有杂环式化合物和链烷醇胺的防蚀剂防止了半导体晶片上所形成的铜等金属层发生腐蚀，所述杂环式化合物具有包含由-C(OH)＝N-或-CONH-形成的原子团的五元或六元杂环。

专利文献2中记载了分子内具有硫羟基的氨基酸或其衍生物可以防止铜布线等的金属腐蚀。即，公开了分子内具有硫羟基的氨基酸或其衍生物具有良好的防止金属腐蚀的作用，使铜布线不发生腐蚀和氧化。该公开内容明确地在铜等的防蚀剂中排除了分子内不含有硫羟基的氨基酸。进而，在专利文献3中，公开了一种铜布线用残渣清洗液，该清洗液含有与铜的螯合物稳定化常数为15以上、且不具有硫羟基的氨基酸。即，公开了不含有硫羟基的甘氨酸、脯氨酸、组氨酸等具有良好的CuO溶解性。但是，也公开了这些氨基酸的铜腐蚀量与赖氨酸、丙氨酸等为同等程度。

另外，作为针对铜的强力腐蚀抑制剂，苯并三唑类是众所周知的。

但是，现有的铜或铜合金用防蚀剂的防蚀性未必充分。而且，分子内具有硫羟基的化合物和苯丙三唑类虽然对铜或铜合金具有良好的防蚀性，但是如果使用含有这些物质的光致抗蚀剂剥离剂组合物处理含有铜或铜合金的基板，则在铜或铜合金的表面上产生析出物。但是，这种析出物不能通过通常的清洗来除去，因此存在另外需要进行除去析出物的处理这样的问题。

另一方面，铜或铜合金与玻璃等基底基板的密合性不充分。因此，为了提高密合性，需要在铜或铜合金的布线的基底上层积其他金属层。这样的基底金属层也被称作辅助膜。作为这种基底金属层，一般被探讨研究的是钼或钼合金。

钼或钼合金本身是防蚀性优异的金属，它们在单独的情况下即使使用光致抗蚀剂剥离剂组合物处理也基本上不会被腐蚀。但是，在铜或铜合金与钼或钼合金发生接触的状态下，因为电池效应，确认到钼或钼合金的腐蚀被剧烈加速的现象。与此相对，以往的铜或铜合金用防蚀剂即使防止了铜或铜合金的腐蚀，但是不能抑制与铜或铜合金接触的钼或钼合金的腐蚀。即，在基板上形成钼或钼合金的基底金属层，接着，在其上进一步形成铜或铜合金层，藉由图案化的光致抗蚀剂一次或逐次对基底金属层和铜或铜合金层进行蚀刻后，使用光致抗蚀剂剥离剂组合物将不再需要的光致抗蚀剂剥离除去，则在布线图案化的钼或钼合金的基底金属层上的铜或铜合金布线中，基底金属层比铜或铜合金布线更多地被腐蚀，或者，根据情况，铜或铜合金布线更多地被腐蚀，产生无法形成层积金属布线这样的问题。

现有专利文献

专利文献1：日本特开2002-97584号公报

专利文献2：日本特开2003-13266号公报

专利文献3：日本特开2005-217114号公报

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于提供一种光致抗蚀剂剥离剂组合物、使用了该光致抗蚀剂剥离剂组合物的层积金属布线基板的光致抗蚀剂剥离方法以及层积金属布线基板的制造方法，所述光致抗蚀剂剥离剂组合物在半导体基板和FPD基板的铜或铜合金布线制造工序中，能够在不含有具有苯并三唑类和硫羟基的化合物的情况下，不腐蚀形成在基板上的铜或铜合金布线以及铜或铜合金与钼或钼合金的层积金属布线，而剥离光致抗蚀剂。