[发明专利]半导体基板的制造方法、半导体基板、电子器件的制造方法、和反应装置

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，其对底板基板进行热处理来制造半导体基板，该底板基板设置有要被热处理的被热处理部，

该方法包括：

在所述底板基板上设置被加热部的步骤，该被加热部吸收电磁波而产生热、对所述被热处理部选择性地加热；

对所述底板基板照射电磁波的步骤；和

通过由于所述被加热部吸收所述电磁波而产生的热，降低所述被热处理部的晶格缺陷密度的步骤。

2.根据权利要求1所述半导体基板的制造方法，其特征在于，

在在所述底板基板上设置被加热部的步骤中，设置包括吸收层的所述被加热部，该吸收层产生的热量相对于被照射的所述电磁波的能量的比率，比在对所述被热处理部照射所述电磁波的情况下产生的热量相对于所述电磁波的能量的比率大，且该吸收层设置于所述被热处理部上方，

在降低所述晶格缺陷密度的步骤中，通过由于所述吸收层吸收所述电磁波而产生的热，降低所述被热处理部的晶格缺陷密度。

3.根据权利要求2所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

还包括在所述底板基板上形成电子元件的步骤；

所述吸收层产生的热量相对于所述电磁波的能量的比率，比对所述电子元件的至少一部分照射所述电磁波的情况下产生的热量相对于所述电磁波的能量的比率大。

4.根据权利要求3所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述吸收层对所述电磁波的吸收系数比所述电子元件的至少一部分对所述电磁波的吸收系数大。

5.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

所述底板基板是SOI基板或Si基板，

所述被热处理部对所述电磁波的吸收系数，比包含于所述底板基板中的Si对所述电磁波的吸收系数大。

6.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在对所述底板基板照射电磁波的步骤中，对所述底板基板照射如下电磁波，所述电磁波是在所述被热处理部中的吸收系数比将所述底板基板切割而制造的电子器件上的所述被热处理部以外的区域中的吸收系数大的电磁波。

7.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

还包括使作为所述被热处理部的Si_xGe_1-x晶体的前体在所述底板基板上生长成为晶体的步骤，其中0≤x＜1。

8.根据权利要求7所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在降低所述晶格缺陷密度的步骤之后，使与所述Si_xGe_1-x晶体晶格匹配或准晶格匹配的III-V族化合物半导体晶体生长的步骤，其中0≤x＜1。

9.根据权利要求8所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，还包括：

在使所述Si_xGe_1-x晶体的前体生长成为晶体的步骤之后，不将所述底板基板暴露在大气中而使所述晶格缺陷密度降低的步骤。

10.根据权利要求9所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

使所述Si_xGe_1-x晶体的前体生长成为晶体的步骤和使所述晶格缺陷密度降低的步骤在同一反应容器中进行。

11.根据权利要求8所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在使所述III-V族化合物半导体晶体生长的步骤中，使用在降低所述晶格缺陷密度的步骤中照射所述电磁波的光源，再次对所述底板基板照射所述电磁波。

12.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在降低所述晶格缺陷密度的步骤中，对所述底板基板整体均匀地照射所述电磁波。

13.根据权利要求12所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在降低所述晶格缺陷密度的步骤中，对所述底板基板脉冲状地照射所述电磁波多次。

14.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，

在从设置有所述被热处理部的所述底板基板的主面的背面侧加热时，从所述底板基板的所述主面侧照射所述电磁波。