[发明专利]应用于RFID和其他应用的高导电性聚合物厚膜银导体组合物

权利要求书

1.聚合物厚膜组合物，所述聚合物厚膜组合物包含

(a)50-85重量％的银薄片和硬脂酸表面活性剂，所述银薄片具有至少3微米的平均粒度，至少10％的颗粒大于7微米

(b)15-50重量％的有机介质，所述有机介质包含

i.16-25重量％的乙烯基共聚物树脂

ii.75-84重量％的有机溶剂。

2.权利要求1的组合物，其中所述乙烯基共聚物树脂为偏二氯乙烯与氯乙烯、丙烯腈和丙烯酸烷基酯中的至少一种的共聚物。

3.权利要求2的组合物，其中所述乙烯基共聚物树脂为偏二氯乙烯与丙烯腈的共聚物。

4.权利要求1的组合物，其中所述银薄片粒度在1-100微米的范围内。

5.权利要求4的组合物，其中所述银薄片粒度在2-18微米的范围内。

6.权利要求1的组合物，其中所述有机溶剂选自乙酸乙酯、萜烯例如α-或β-萜品醇、煤油、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、己二醇、醇、醇酯、乙二醇醚、酮、酯以及它们的混合物。

7.权利要求6的组合物，其中所述溶剂选自酯、酮以及它们的混合物。

8.权利要求6的组合物，其中所述有机溶剂的沸点为180℃-250℃。

9.权利要求1的组合物，所述组合物还包含最多1重量％的金、银、铜、镍、铝、铂、钯、钼、钨、钽、锡、铟、镧、钆、硼、钌、钴、钛、钇、铕、镓、硫、锌、硅、镁、钡、铈、锶、铅、锑、导电性碳、以及它们的组合。

10.制备银导体的方法，所述方法包括：

(c)将聚合物厚膜施用到基底上，所述聚合物厚膜包含

i.50-85重量％的银薄片和硬脂酸表面活性剂，所述银薄片具有至少3微米的平均粒度，至少10％的颗粒大于7微米

ii.15-50重量％的有机介质，所述有机介质包含

iii.16-25重量％的乙烯基共聚物树脂

iv.75-84重量％的有机溶剂；以及

(d)蒸发所述有机溶剂。

11.由权利要求10的方法制备的银导体。

12.形成RFID天线的方法，所述方法包括：

(e)将权利要求1的组合物施用到基底上；

(f)干燥所述组合物以形成电路；以及

(g)向所述电路施加电压。

13.使用权利要求11的银导体形成的RFID电路。