[发明专利]发射辐射的半导体芯片

权利要求书

1.一种发射辐射的半导体芯片(1)，其具有支承体(5)和带有半导体层序列的半导体本体(2)，其中

-在带有半导体层序列的半导体本体(2)中形成发射区域(23)和保护二极管区域(24)；

-半导体层序列包括被设置用于产生辐射的有源区(20)，该有源区设置在第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间；

-第一半导体层(21)设置在有源区(20)的背离支承体(5)的侧上；

-发射区域(23)具有凹进部(25)，该凹进部延伸穿过有源区(20)；

-第一半导体层(21)在发射区域(23)中导电地与第一连接层(31)连接，其中第一连接层(31)在凹进部(25)中从第一半导体层(21)朝向支承体(5)的方向延伸；以及

-第一连接层(31)在保护二极管区域(24)中与第二半导体层(22)导电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，

其中发射区域和保护二极管区域相对于其导通方向彼此反并联地连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，

其中发射区域和保护二极管区域是半导体本体的在横向方向上彼此并排设置的区域。

4.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中半导体本体材料配合地与支承体相连，并且其中第一连接层局部地在半导体本体与支承体之间走向。

5.根据上述权利要求之一所述的半导体芯片，

其中第二半导体层在发射区域中与第二连接层(32)导电相连。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，

其中第二连接层局部地在发射区域与第一连接层之间走向。

7.根据权利要求5或6所述的半导体芯片，

其中第二连接层在保护二极管区域中导电地与第一半导体层相连。

8.根据权利要求5至7之一所述的半导体芯片，

其中保护二极管区域具有另一凹进部(26)，其中第二连接层在所述另一凹进部中从第一半导体层朝向支承体的方向延伸。

9.根据权利要求5至8之一所述的半导体芯片，

其中半导体芯片具有接触部(42)，所述接触部(42)被设置用于外部接触第二连接层。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，

其中接触部借助接触层(420)形成，该接触层至少局部地覆盖在横向方向上形成保护二极管区域边界的侧面(240)。

11.根据权利要求10所述的半导体芯片，

其中在半导体芯片的俯视图中接触部至少局部地遮盖保护二极管区域。

12.根据权利要求9所述的半导体芯片，

其中在半导体芯片的俯视图中接触部和保护二极管区域并排设置。

13.一种用于制造多个发射辐射的半导体芯片(1)的方法，具有以下步骤：

a)提供半导体层序列(2)，该半导体层序列具有被设置用于产生辐射的有源区(20)，该有源区被设置在第一半导体层(21)与第二半导体层(22)之间；

b)构建多个凹进部(25)，该凹进部延伸穿过第二半导体层(22)和有源区(20)；

c)在半导体层序列(2)上构建第一连接层(31)，其中第一连接层(31)在凹进部(25)中导电地与第一半导体层(21)相连，并且其中第一连接层(31)局部地与第二半导体层(22)导电连接；

d)构建具有半导体层序列(2)和支承体(5)的复合结构(9)；

e)由半导体层序列构建多个发射区域(23)和多个保护二极管区域(24)，其中发射区域(23)分别具有至少一个凹进部(25)，并且在保护二极管区域(24)中第一连接层(21)相应与第二半导体层(22)导电连接；

f)将复合结构(9)分割成多个半导体芯片(1)，其中每个半导体芯片(1)都具有至少一个发射区域(23)和至少一个保护二极管区域(24)。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中在步骤e)之前至少局部地去除半导体层序列的生长衬底(8)。

15.根据权利要求13或14所述的方法，

其中制造多个根据权利要求1至12之一所述的半导体芯片。