[发明专利]薄膜光电变换装置的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，包括：

第1工序，以使相邻的薄膜光电变换单元之间电串联连接的方式，在透光性绝缘基板上，依次形成第1电极层、光电变换层、以及第2电极层，其中，该光电变换层是依次层叠了第1导电类型半导体层、第2导电类型半导体层和第3导电类型半导体层；

第2工序，形成从所述第2电极层的表面到达所述第1电极层的分离槽，从而进行单元分离为多个薄膜光电变换单元；以及

第3工序，在所述第2工序之后对所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部进行氧化处理而使所述光电变换层的所述分离槽的侧壁部改性为绝缘层。

2.根据权利要求1所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

还包括第4工序，在该第4工序中，在所述第2工序之后，沿着所述薄膜光电变换装置的外周部，去除位于所述薄膜光电变换装置的外周缘部的所述薄膜光电变换单元的外周的侧壁部的一部分，

所述第3工序在所述第4工序后进行，对所述光电变换层的所述外周侧壁部也进行氧化处理，从而使所述光电变换层的所述外周侧壁部改性为绝缘层。

3.根据权利要求1或者2所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

所述氧化处理是通过供给氧等离子体来进行的。

4.根据权利要求1或者2所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

所述氧化处理是通过供给含有臭氧的气体来进行的。

5.根据权利要求1或者2所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

所述氧化处理是通过照射氧离子束来进行的。

6.根据权利要求5所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

相对于所述透光性绝缘基板的面内方向，从倾斜方向照射所述氧离子束。

7.根据权利要求3～6中的任一项所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

在所述氧化处理之前进行照射紫外线的处理。

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

所述光电变换层是层叠了所述第1导电类型半导体层、所述第2导电类型半导体层、以及所述第3导电类型半导体层的单位光电变换层。

9.根据权利要求1～7中的任一项所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

所述光电变换层具有直接或者隔着由透明导电膜构成的中间层层叠多层单位光电变换层而得到的纵列构造，其中，该单位光电变换层是层叠了所述第1导电类型半导体层、所述第2导电类型半导体层、以及所述第3导电类型半导体层。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的薄膜光电变换装置的制造方法，其特征在于，

所述光电变换层是硅层，所述绝缘层是硅氧化膜层。