[发明专利]成膜设备以及成膜方法

权利要求书

1.一种成膜设备，用于在晶片的表面上形成膜，所述成膜设备的特征在于，具有：

腔室，在该腔室的内部设置晶片；

气体导入装置，所述气体导入装置向腔室内导入原料气体，所述原料气体通过在晶片的表面上反应而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及

逆反应装置，所述逆反应装置通过使腔室内的副产品气体反应来生成原料气体。

2.如权利要求1所述的成膜设备，其特征在于，

在腔室内设置由硅形成的晶片，

气体导入装置向腔室内导入第一原料气体和含硅的第二原料气体，

第一原料气体和第二原料气体在晶片的表面上相互反应，从而变成副产品气体和粘附到晶片的表面上的硅晶体，

逆反应装置具有含硅的逆反应原料，并通过使所述逆反应原料和副产品气体反应来生成第一原料气体和第二原料气体。

3.如权利要求2所述的成膜设备，其特征在于，

逆反应原料是设置在腔室内的副产品气体的流通路径上的硅块，

所述成膜设备还具有加热硅块的第一加热装置、以及将晶片加热到比硅块更高温度的第二加热装置。

4.如权利要求2或3所述的成膜设备，其特征在于，

逆反应原料设置在下述路径上，所述路径是在腔室内对流的气体从晶片的外周边缘流动到与原料气体的汇流部的路径。

5.如权利要求2或3所述的成膜设备，其特征在于，

所述成膜设备还包括：保持器，所述保持器具有设置晶片的载置部；以及叶轮，所述叶轮包括布置在保持器的载置部的周围的多个叶片；

通过叶轮以保持器为中心旋转，保持器上方的气体向叶轮的外周侧被送出，

所述多个叶片由逆反应原料构成。

6.一种成膜方法，用于在设置于腔室内的晶片的表面上形成膜，所述成膜方法的特征在于，包括以下步骤：

通过向腔室内导入原料气体，使得原料气体在晶片的表面上反应而生成副产品气体和粘附到晶片的表面上的物质；以及

通过使副产品气体在腔室内反应来在腔室内生成原料气体。