[发明专利]分子离子的离子植入技术无效
| 申请号： | 200980148521.9 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102265385A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 克里斯多夫·R·汉特曼;克里斯多福·A·罗兰德 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分子 离子 植入 技术 | ||
1.一种离子植入方法，所述方法包括：
在预定的温度下，将分子离子植入到目标材料中，以加强所述目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中所述分子离子是在离子源内原位产生的。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述分子离子是利用两种或多种物种来产生的。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述分子离子是指CaPbHc分子离子。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述分子离子是利用含碳物种与含磷物种来产生的。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述含碳物种是乙烷。
6.如权利要求4所述的方法，其中所述含碳物种是分子碳、烷烃以及烯烃至少其中之一。
7.如权利要求4所述的方法，其中所述含磷物种是磷化氢。
8.如权利要求1所述的方法，其中对所述目标材料进行的植入会产生应力，且在所述目标材料中形成超浅接面。
9.如权利要求1所述的方法，还包括对剂量、剂量率、含碳物种中的原子数量、原子能量、压力以及所述预定的温度至少其中之一进行控制，以进一步加强应力与非晶化至少其中之一。
10.一种离子植入装置，所述装置包括：
离子植入机，在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强所述目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中所述分子离子是在离子源内原位产生的。
11.如权利要求10所述的装置，其中所述分子离子是利用两种或多种物种来产生的。
12.如权利要求10所述的装置，其中所述分子离子是指CaPbHc分子离子。
13.如权利要求1所述的装置，其中所述分子离子是利用含碳物种与含磷物种来产生的。
14.如权利要求13所述的装置，其中所述含碳物种是乙烷。
15.如权利要求13所述的装置，其中所述含碳物种是分子碳、烷烃以及烯烃至少其中之一。
16.如权利要求13所述的装置，其中所述含磷物种是磷化氢。
17.如权利要求1所述的装置，其中对所述目标材料进行的植入产生应力，且在所述目标材料中形成超浅接面。
18.如权利要求1项所述的装置，还包括对剂量、剂量率、含碳物种中的原子数量、原子能量、压力以及所述预定的温度至少其中之一进行控制，以进一步加强应力与非晶化至少其中之一。
19.一种离子植入装置，所述装置包括：
离子植入机，在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强所述目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中所述分子离子是利用含碳物种与含磷物种在离子源内原位产生的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
