[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种Ⅲ族氮化物半导体发光器件，该Ⅲ族氮化物半导体发光器件包括：

多个Ⅲ族氮化物半导体层，它们包括具有第一导电类型的第一Ⅲ族氮化物半导体层、具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二Ⅲ族氮化物半导体层以及置于所述第一Ⅲ族氮化物半导体层与所述第二Ⅲ族氮化物半导体层之间并通过电子和空穴的复合而发光的有源层；

接合焊盘，其电连接到所述多个Ⅲ族氮化物半导体层；

保护膜，其设置在所述接合焊盘上；以及

缓冲垫，其设置在所述接合焊盘与所述保护膜之间并形成为露出所述接合焊盘。

2.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光器件，其中，所述保护膜是氧化膜，并且所述缓冲垫由可氧化金属形成。

3.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光器件，其中，所述保护膜由SiO₂形成，所述接合焊盘的顶面由Au形成，并且所述缓冲垫由Ni或Cr形成。

4.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光器件，其中，所述缓冲垫为环形。

5.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光器件，其中，针对所述多个Ⅲ族氮化物半导体层，至少所述第二Ⅲ族氮化物半导体层和所述有源层被刻蚀以露出所述第一Ⅲ族氮化物半导体层；

所述接合焊盘包括电连接到所述第一Ⅲ族氮化物半导体层的第一接合焊盘和电连接到所述第二Ⅲ族氮化物半导体层的第二接合焊盘；

所述缓冲垫粘接到所述保护膜和所述接合焊盘，并且所述缓冲垫包括以带状形状形成在所述第一接合焊盘上以露出所述第一接合焊盘的第一缓冲垫和以带状形状形成在所述第二接合焊盘上以露出所述第二接合焊盘的第二缓冲垫；并且

所述保护膜覆盖所述发光器件的上部，并且所述保护膜形成在所述第一缓冲垫和所述第二缓冲垫上以敞开被所述第一缓冲垫露出的所述第一接合焊盘的上部以及被所述第二缓冲垫露出的所述第二接合焊盘的上部。

6.根据权利要求5所述的Ⅲ族氮化物半导体发光器件，其中，所述保护膜由SiO₂形成，所述接合焊盘的顶面由Au形成，并且所述缓冲垫由Ni或Cr形成。