[发明专利]将结构引入衬底中的方法

权利要求书

1.一种在衬底或其区域中引入诸如孔或空腔或沟道或井或凹进的结构或诸如从结晶结构转变成非晶结构的结构变化的方法，所述方法包括步骤：

a)提供室温条件下电绝缘或半导电的衬底，以及将其放置在连接到用户控制的电压供应的至少两个电极之间，

b)通过所述用户控制的电压供应，将用户限定量值的电压施加到所述衬底的区域上，所述电压足以导致通过所述衬底或所述区域的电流增加，由此将限定数量的电能量施加到所述衬底；

c)可选地，将另外的能量，优选热施加到所述衬底或所述区域，以便增加所述衬底或所述区域的温度和导电率，以便发起步骤b)中的电流流动，所述另外的能量，优选热源自于另外的能或热源或源自于在步骤b)中施加的所述电压的分量，

d)耗散所述衬底中的在步骤b)中施加的所述电能量，

其中，仅由(i)步骤b)的用户限定的施加电压量值，(ii)步骤b)的用户限定时间段，(iii)所述电压供应的阻抗，或(iv)(i)-(iii)的任意组合，来控制步骤d)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，使用随时间分析跨衬底电流或跨衬底电压的编程或反馈电路，来实现通过控制(i)、(ii)、(iii)或(iv)的步骤d)的所述控制。

3.如权利要求1所述的方法，其中，仅通过用户限定的(i)、(ii)、(iii)或(iv)，而不使用随时间分析跨衬底电流或跨衬底电压的编程或反馈电路，来实现通过控制(i)、(ii)、(iii)或(iv)的步骤d)的所述控制。

4.如权利要求1至3中的任何一项所述的方法，其中，所述用户限定电压量值在10V至10⁶V的范围中，优选从10²V至3×10⁵V，更优选从10³V至30×10³V，以及最优选从2×10³至15×10³V。

5.如权利要求1至4中的任何一项所述的方法，其中，所述用户限定时间段在从1ms至5000ms的范围中，更优选从10ms至2000ms，更优选从10ms至1000ms，以及甚至更优选从10ms至500ms。

6.如在前权利要求中的任何一项所述的方法，其中，所述电压供应的阻抗为＞1Ohm的阻抗，优选＞10k Ohm，更优选＞100k Ohm，以及甚至更优选＞1M Ohm。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述阻抗在从1Ohm至1GOhm的范围中，其中，优选，在所述方法的执行期间，所述阻抗在所述范围内是可变的。

8.如在前权利要求中的任何一项所述的方法，其中，所述电绝缘或半导体衬底由从包括诸如聚丙烯的碳基聚合物、诸如聚四氟乙烯的含氟聚合物、诸如玻璃、石英、氮化硅、氧化硅的硅基衬底、诸如Sylgard的硅基聚合物、诸如包括掺杂硅和结晶硅的单质硅、锗的半导体材料、诸如砷化镓、磷化铟的化合物半导体、以及诸如氧化铝、尖晶石，蓝宝石的铝基结晶材料、以及诸如氧化锆的陶瓷组成的组中选择的材料制成。

9.如在前权利要求中的任何一项所述的方法，其中，通过(i)在步骤b)中，在所述衬底的区域上施加用户限定量值的电压，所述用户限定电压量值足以导致通过所述衬底或所述区域的电流增加以及所述衬底中的所述电能量的后续耗散，(ii)在步骤b)中，在所述衬底的区域上施加用户限定量值的电压，所述用户限定电压量值不足以导致通过所述衬底或所述区域的电流增加以及所述衬底中的所述电能量的后续耗散，以及降低电极中的每一个与衬底之间的距离，以及可选地，使所述衬底与所述电极接触，(iii)执行步骤c)，或(iv)(i)至(iii)的组合，来发起步骤d)。

10.如在前权利要求中的任何一项所述的方法，其中，省略步骤c)。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述衬底是在室温条件下具有≤10⁹Ωcm的电阻率的衬底。

12.如权利要求10至11中的任何一项所述的方法，其中，所述衬底在室温条件下为半导电，并且优选由从包括掺杂硅和结晶硅的单质硅、锗、诸如砷化镓和磷化铟的化合物半导体中选择的半导体材料制成。

13.如权利要求1至9中的任何一项所述的方法，其中，执行步骤c)。