[发明专利]使用电子转移剂制备纳米晶的方法

权利要求书

1. 制造纳米晶群体的方法，包括：

提供混合物，所述混合物包含：

       第一前体；

       第二前体，其中所述第一前体和所述第二前体具有失配的氧化态；

       强电子转移剂，其量足以产生所需成核量；和

       不同于所述强电子转移剂的弱电子转移剂；以及

将所述混合物加热至足以引发纳米晶群体形成的温度一段时间。

2. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中纳米晶形成反应在间歇反应器系统中发生。

3. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中纳米晶形成反应在连续流动反应器系统中发生。

4. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中通过所述强电子转移剂和所述弱电子转移剂将所述第一前体或所述第二前体的所述氧化态改变为中性态。

5. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中通过所述强电子转移剂和所述弱电子转移剂匹配所述第一前体和所述第二前体的所述氧化态。

6. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述强电子转移剂和所述弱电子转移剂是还原剂。

7. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述强电子转移剂和所述弱电子转移剂是氧化剂。

8. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中在混合前加热一种或多种所述前体与电子转移剂。

9. 根据权利要求6所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述强还原剂和所述弱还原剂选自：叔膦、仲膦、伯膦、胺、肼、羟苯基化合物、氢、氢化物、金属、硼烷、醛、醇、硫醇、还原性卤化物、多官能还原剂及其混合物。

10. 根据权利要求7所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述强氧化剂和所述弱氧化剂选自硝酸钾；次氯酸盐、亚氯酸盐、氯酸盐、高氯酸盐与其它类似卤素化合物；次氯酸叔丁酯；卤素；高锰酸盐和化合物；硝酸铈铵；六价铬化合物；过氧化物化合物；土伦试剂；硫氧化物；过硫酸；氧；臭氧；四氧化锇；硝酸；一氧化二氮；银(I)化合物；铜(II)化合物；钼(IV)化合物；铁(III)化合物；锰(IV)化合物；N-甲基吗啉-N-氧化物；三甲基胺N-氧化物；3-氯过苯甲酸、过氧酸；过乙酸，及其混合物。

11. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述强还原剂是阴极。

12. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述弱还原剂是阴极。

13. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，在所述混合物中进一步包括溶剂。

14. 根据权利要求13所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述溶剂选自烃类、胺、烷基膦、烷基膦氧化物、羧酸、醚、呋喃、膦酸、吡啶及其混合物。

15. 根据权利要求13所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述溶剂是配位溶剂。

16. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，进一步包括冷却所述混合物。

17. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述第一前体选自由Cd、Zn、Ga、In、Al、Pb、Ge、Si、Hg、Mg、Ca、Sr、Ba及其混合物组成的盐。

18. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述第二前体是R₃P=X，其中X是S、Se或Te，且每个R独立地为H或C₁-C₂₄烃基。

19. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述第二前体是溶解在烷基膦、链烯或胺中的S、Se或Te。

20. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，其中所述第二前体溶解在三丁基膦或三辛基膦中。

21. 根据权利要求1所述的制造纳米晶群体的方法，进一步包括：

任选分离所述纳米晶群体；和

向各所述纳米晶群体施加壳。