[发明专利]用于化学气相沉积的方法和设备

权利要求书

1.一种在基片上沉积化合物半导体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)在反应室内保持基片；

(b)在反应室内引导多种气体反应物，将其沿下游方向从进气口导向基片的表面，所述多种气体反应物在所述基片的所述表面上相互反应，从而在所述基片上形成沉积物；

(c)在所述进气口的下游和所述基片的上游处，选择性地将能量提供给所述多种气体反应物的其中之一，以便传递足以激活所述多种气体反应物的所述其中之一、但又不足以使所述多种气体反应物的所述其中之一分解的能量；且

(d)使所述多种气体反应物在所述基片的所述表面处分解。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：选择性提供的所述能量选自微波能量和红外能量。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：选择性提供的所述能量提供在所述多种气体反应物的所述其中之一的共振频率处。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：将所述多种气体反应物的所述其中之一导向所述基片的预先选定区域，并同时只将所述能量选择性地提供给所述基片的所述预先选定区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，引导所述多种气体反应物的步骤包括：将所述多种气体反应物导向基片，使得所述多种气体反应物在所述进气口和所述基片的所述表面之间的至少一部分流动区域内基本保持相互分离，且，在所述反应室内保持所述基片的步骤包括保持所述基片处于运动状态。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：保持所述基片处于运动状态的步骤包括使所述基片在所述反应室内围绕着旋转轴旋转，使得所述多种气体反应物碰撞到平行于旋转轴的所述基片的所述表面上。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：引导所述多种气体反应物的所述步骤包括将所述反应物导向至所述反应室的分开区域内，而选择性地提供能量的所述步骤包括只将能量选择性地提供至供有所述多种气体反应物的所述其中之一的区域，而不将能量提供至供有所述多种气体反应物中的其它气体反应物的区域。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：选择性施加的所述能量以相对于旋转轴0～90°的角度施加于所述多种反应物的所述其中之一。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述角度为相对于旋转轴约0°。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述角度为相对于旋转轴约90°。

11.一种在基片上沉积化合物半导体的方法，其特征在于：包括以下步骤：

(a)在反应室内保持所述基片；

(b)在所述反应室内引导多种气体反应物，将其沿下游方向从进气口导向基片的表面，所述多种气体反应物包括第V族氢化物以及第III族金属的有机化合物；

(c)在所述进气口的下游和所述基片的上游处，选择性地将能量提供给所述第V族氢化物，以便传递足以激活所述第V族氢化物、但又不足以使所述第V族氢化物分解的能量；

(d)使所述多种气体反应物在所述基片的所述表面处分解。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：选择性提供的所述能量选自微波能量和红外能量。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：选择性提供的所述能量是由所述第V族氢化物的共振频率来提供的。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：所述第V族氢化物包括NH₃。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，包括：将所述第V族氢化物导向所述基片的预先选定区域，并同时只将所述能量选择性地提供给所述基片的所述预先选定区域。

16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：所述第III族金属选自：镓、铟和铝。

17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于：引导所述多种气体反应物的步骤包括：将所述多种气体反应物导向基片，使得所述多种气体反应物在所述进气口和所述基片的所述表面之间的至少一部分流动区域内基本保持相互分离，且，在所述反应室内保持所述基片的步骤包括保持所述基片处于运动状态。