[发明专利]等离子体处理装置无效

专利信息
申请号: 200980149650.X 申请日: 2009-11-02
公开(公告)号: CN102246604A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 平山昌树 申请(专利权)人: 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社
主分类号: H05H1/46 分类号: H05H1/46;H01L21/205;H01L21/3065
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

处理容器,在内部使气体激励来对被处理体进行等离子体处理;

电磁波源,被设置在所述处理容器的外部并输出电磁波;

电介质板,与所述处理容器内的顶面邻接设置,并将从所述电磁波源输出的电磁波向所述处理容器内放射;以及

菱形的金属电极,在所述电介质板的等离子体侧的面与所述电介质板邻接设置,并从周缘使所述电介质板的一部分向所述处理容器的内部露出,

所述金属电极与所述电介质板作为划分所述处理容器的顶面的假想区域而被由与所述金属电极的两条对角线分别平行的各两条直线划定,将包括所述金属电极与所述电介质板的最小矩形区域作为单元区域,按照使所述单元区域长边的长度与短边的长度之比为1.2以下的方式来确定所述金属电极及所述电介质板的形状。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置,其特征在于,

按照使所述单元区域长边的长度与短边的长度之比为1.2以下的方式来确定所述金属电极及所述电介质板的形状。

3.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

处理容器,在内部使气体激励来对被处理体进行等离子体处理;

电磁波源,被设置在所述处理容器的外部并输出电磁波;

电介质板,与所述处理容器内的顶面邻接设置,并将从所述电磁波源输出的电磁波向所述处理容器内放射;

金属电极,在所述电介质板的等离子体侧的面与所述电介质板邻接设置,并从周缘使所述电介质板的一部分向所述处理容器的内部露出;以及

金属罩,形状与所述金属电极相同或者相似,被设置在所述处理容器的顶面的没有设置所述电介质板的部分,

在所述金属电极与所述金属罩之间的槽设置有填充用电介质。

4.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:

处理容器,在内部使气体激励来对被处理体进行等离子体处理;

电磁波源,被设置在所述处理容器的外部并输出电磁波;

电介质板,与所述处理容器内的顶面邻接设置,并将从所述电磁波源输出的电磁波向所述处理容器内放射;

金属电极,在所述电介质板的等离子体侧的面与所述电介质板邻接设置,并从周缘使所述电介质板的一部分向所述处理容器的内部露出;以及

凸部,形状与所述金属电极相同或者相似,被设置在所述处理容器的顶面的没有设置所述电介质板的部分,

在所述金属电极与所述凸部之间的槽设置有填充用电介质。

5.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,

在所述金属电极的周围设置侧罩,

所述填充用电介质被设置在所述金属电极与所述侧罩之间的槽。

6.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述填充用电介质被配置为埋没在所述槽中、或使所述槽平坦化、或者从所述槽突出的任何一个状态。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述填充用电介质以包围所述金属电极的外周的方式被配置,并具有从所述槽突出的部分。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述填充用电介质在所述金属电极的各边的至少中央附近从所述槽突出。

9.如权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,

在所述填充用电介质的突出部分中,所述金属电极的各边的中央附近的突出大于所述金属电极的顶点附近的突出。

10.如权利要求7所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述填充用电介质的突出部分相对于所述金属电极的中心被形成为点对称。

11.如权利要求3所述的等离子体处理装置,其特征在于,

所述填充用电介质由与所述电介质板相同的材质形成。

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