[发明专利]衬底冷却装置及衬底处理系统有效
申请号: | 200980149814.9 | 申请日: | 2009-12-02 |
公开(公告)号: | CN102246290A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 伊原龍太;新田秀幸;河越义典 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/31 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;李雪春 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 冷却 装置 处理 系统 | ||
1.一种衬底冷却装置,是进行完成处理后的衬底的冷却的衬底冷却装置,其特征在于,具备:
框体,在内部具有收纳衬底的空间;
一对保持部,相互相对地设置在所述框体的内壁上,具有支撑所述衬底的端部附近的槽部;
及具有冷却单元的一对冷却部,夹着所述一对保持部设置在与所述保持部所相互相对的方向交叉的方向上。
2.根据权利要求1所述的衬底冷却装置,其特征在于,在由所述一对冷却部分隔的空间内部保持所述衬底。
3.根据权利要求1所述的衬底冷却装置,其特征在于,还具备:
气体导入单元,从所述框体的一个端面侧向由所述一对冷却部分隔的空间内部导入气体;
及气体排出单元,设置在与设置有所述气体导入单元的所述端面侧相对一侧的端面上,排出所述导入的气体。
4.根据权利要求3所述的衬底冷却装置,其特征在于,所述气体导入单元沿所述冷却部的主面向由所述一对冷却部分隔的空间内部导入所述气体。
5.根据权利要求3所述的衬底冷却装置,其特征在于,所述气体导入单元沿收纳的衬底的主面向由所述一对冷却部分隔的空间内部导入所述气体。
6.根据权利要求2所述的衬底冷却装置,其特征在于,所述一对保持部和所述冷却部交替地设置在与所述保持部所相互相对的方向交叉的方向上。
7.根据权利要求2所述的衬底冷却装置,其特征在于,在由所述一对冷却部分隔的空间内部设置有多个所述一对保持部。
8.一种衬底处理系统,其特征在于,具备:
处理装置,进行衬底的处理;
收纳装置,收纳所述衬底;
权利要求1所述的衬底冷却装置;
及搬运装置,在所述处理装置、所述收纳装置、所述衬底冷却装置之间进行所述衬底的搬运。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造