[发明专利]连续进给式化学气相沉积

权利要求书

1.一种用于在连续化学气相沉积工艺过程中形成多层材料的方法，所述方法包括：

连续地推进多个晶片通过沉积系统，其中，所述沉积系统包括第一沉积区、第二沉积区、第三沉积区和第四沉积区；

在所述第一沉积区内在第一晶片上沉积缓冲层；

在所述第二沉积区内在所述第一晶片上沉积牺牲层，同时在所述第一沉积区内在第二晶片上沉积所述缓冲层；

在所述第三沉积区内在所述第一晶片上沉积钝化层，同时在所述第二沉积区内在所述第二晶片上沉积所述牺牲层，并且同时在所述第一沉积区内在第三晶片上沉积所述缓冲层；以及

在所述第四沉积区内在所述第一晶片上沉积砷化镓活性层，同时在所述第三沉积区内在所述第二晶片上沉积所述钝化层，同时在所述第二沉积区内在所述第三晶片上沉积所述牺牲层，并且同时在所述第一沉积区内在第四晶片上沉积所述缓冲层。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在将所述晶片中的每个推进所述第一沉积区之前，在加热区内将所述晶片中的每个加热到预定温度。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述预定温度在从约50℃到约750℃的范围内。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述预定温度在从约100℃到约350℃的范围内。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在沉积砷化镓活性层之后，将所述晶片中的每个转移进冷却区。

6.如权利要求5所述的方法，还包括当所述晶片中的每个在所述冷却区中时，将所述晶片中的每个冷却到在从约18℃到约30℃范围内的预定温度。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述晶片在进入所述第一沉积区之前，经过加热区，并且所述晶片在退出所述第四沉积区之后，经过冷却区。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述加热区、所述第一沉积区、第二沉积区、第三沉积区和第四沉积区以及所述冷却区共享公共线性路径，并且所述晶片在所述沉积系统内连续地且水平地沿所述公共线性路径推进。

9.如权利要求1所述的方法，还包括使至少一种气体在所述沉积区中的每个之间流动以在其间形成气幕。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述至少一种气体包括氢气、砷化氢、氢气和砷化氢的混合物、氮气、氩气或其组合。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述至少一种气体包括氢气和砷化氢的混合物。

12.如权利要求1所述的方法，还包括在第五沉积区内在所述第一晶片上沉积含镓层，同时在所述第四沉积区内在所述第二晶片上沉积所述砷化镓活性层，同时在所述第三沉积区内在所述第三晶片上沉积所述钝化层，同时在所述第二沉积区内在所述第四晶片上沉积所述牺牲层，并且同时在所述第一沉积区内在第五晶片上沉积所述缓冲层。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述含镓层包括磷砷化镓。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述晶片是砷化镓晶片。

15.一种用于在连续化学气相沉积工艺过程中形成多层材料的方法，所述方法包括：

连续地推进多个晶片通过沉积系统，其中，所述沉积系统包括加热区、第一沉积区、第二沉积区、第三沉积区、第四沉积区和冷却区；

在所述第一沉积区内在第一晶片上沉积砷化镓缓冲层；

在所述第二沉积区内在所述第一晶片上沉积砷化铝牺牲层，同时在所述第一沉积区内在第二晶片上沉积所述砷化镓缓冲层；

在所述第三沉积区内在所述第一晶片上沉积铝砷化镓钝化层，同时在所述第二沉积区内在所述第二晶片上沉积所述砷化铝牺牲层，并且同时在所述第一沉积区内在第三晶片上沉积所述砷化镓缓冲层；以及

在所述第四沉积区内在所述第一晶片上沉积砷化镓活性层，同时在所述第三沉积区内在所述第二晶片上沉积所述铝砷化镓钝化层，同时在所述第二沉积区内在所述第三晶片上沉积所述砷化铝牺牲层，并且同时在所述第一沉积区内在第四晶片上沉积所述砷化镓缓冲层。