[发明专利]薄膜晶体管及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极层；

第一半导体层；

设置在所述第一半导体层上并与所述第一半导体层相接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的载流子迁移率低于所述第一半导体层的载流子迁移率；

设置在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们相接触的栅极绝缘层；

设置为接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；

设置为部分接触于所述杂质半导体层中的一个、所述第一半导体层以及所述第二半导体层的源电极层；以及

设置为部分接触于所述杂质半导体层中的另一个、所述第一半导体层以及所述第二半导体层的漏电极层，

其中，所述第一半导体层在所述栅电极层上的整个表面重叠于所述栅电极层，且

其中，所述第一半导体层和所述源电极层或所述漏电极层相接触的部分的势垒大于等于0.5eV。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的禁带宽度大于与所述源电极层及所述漏电极层相接触的所述第一半导体层的禁带宽度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

其特征在于，所述第一半导体层包括结晶性半导体，且所述第二半导体层包括非晶半导体。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，

其特征在于，所述第一半导体层使用微晶半导体来形成，且该微晶半导体包括晶粒尺寸大于等于2nm且小于等于200nm的晶粒。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层包括所述非晶半导体和微小半导体晶粒。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶半导体包括NH基。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，将从所述栅极绝缘层和所述第一半导体层之间的界面到所述第二半导体层的凸部的头端的距离设定为大于等于3nm且小于等于80nm。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述杂质半导体层使用结晶性半导体形成。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，用于所述源电极层及所述漏电极层的至少一部分的材料包括钇、锆、钛和氮化钛中的至少一种。

10.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极层；

第一半导体层；

设置在所述第一半导体层上并与所述第一半导体层相接触的第二半导体层，其中，所述第二半导体层的载流子迁移率低于所述第一半导体层的载流子迁移率；

设置在所述栅电极层和所述第一半导体层之间并与它们相接触的栅极绝缘层；

设置为接触于所述第二半导体层的杂质半导体层；

设置为部分接触于所述杂质半导体层中的一个、所述第一半导体层以及所述第二半导体层的源电极层；以及

设置为部分接触于所述杂质半导体层中的另一个、所述第一半导体层以及所述第二半导体层的漏电极层，

其中，所述第一半导体层在所述栅电极层上的整个表面重叠于所述栅电极层，且

其中，用于形成所述源电极层及所述漏电极层的材料的功函数为φ，真空能级和所述第一半导体层的迁移率边缘的底部之间的差异为χ，所述第一半导体层的禁带宽度为E_g，并且E_g+χ-φ大于等于0.5eV。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层的禁带宽度大于与所述源电极层及所述漏电极层相接触的所述第一半导体层的禁带宽度。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层包括结晶性半导体，且所述第二半导体层包括非晶半导体。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一半导体层通过使用微晶半导体而形成，该微晶半导体包括晶粒尺寸大于等于2nm且小于等于200nm的晶粒。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二半导体层包括所述非晶半导体和微小半导体晶粒。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶半导体包括NH基。