[发明专利]还原低温基底上的薄膜的方法无效
申请号: | 200980150327.4 | 申请日: | 2009-03-25 |
公开(公告)号: | CN102245804A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | D·S·波普;K·A·施罗德;I·M·罗森 | 申请(专利权)人: | NCC纳诺责任有限公司 |
主分类号: | C23C18/00 | 分类号: | C23C18/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 彭飞;林柏楠 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 还原 低温 基底 薄膜 方法 | ||
1.在基底上制造导电薄膜的方法,所述方法包括:
将可还原的金属化合物和还原剂分散在液体中;
将所述分散体以薄膜形式沉积在基底上;和
使所述薄膜与所述基底一起在环境气氛中暴露于脉冲电磁发射,以使所述可还原的金属化合物与所述还原剂进行化学反应,从而使所述薄膜导电。
2.权利要求1的方法,其中所述基底是纸。
3.权利要求2的方法,其中所述纸涂覆有受墨层。
4.权利要求1的方法,其中所述基底是聚合物。
5.权利要求4的方法,其中所述聚合物涂覆有受墨层。
6.权利要求1的方法,其中所述脉冲电磁发射是由激光器、闪光灯、定向等离子弧灯、微波、射频感应加热器、电子束和弧光灯的任一种产生的。
7.权利要求1的方法,其中所述液体是水。
8.权利要求1的方法,其中所述暴露进一步包括将所述基底传送经过所述脉冲电磁发射源,同时使所述基底固化。
9.权利要求1的方法,其中所述可还原的金属化合物是金属氧化物。
10.权利要求1的方法,其中所述可还原的金属化合物是选自由钼氧化物、钨氧化物、铼氧化物、铁氧化物、钌氧化物、锇氧化物、钴氧化物、铑氧化物、铱氧化物、镍氧化物、钯氧化物、铂氧化物、铜氧化物、银氧化物、金氧化物、锌氧化物、镉氧化物、铟氧化物、锗氧化物、锡氧化物、铅氧化物、锑氧化物和铋氧化物组成的组的化合物。
11.权利要求1的方法,其中所述可还原的金属化合物是金属盐。
12.权利要求1的方法,其中所述还原剂是选自由醇、醛、羧酸和炭黑组成的组的化合物。
13.权利要求1的方法,其中所述还原剂选自由铝、镁和锂组成的组。
14.权利要求1的方法,其中所述还原剂还包括甘油、抗坏血酸、1,2-己二醇和戊二酸。
15.权利要求1的方法,其中所述分散进一步包括使用各种分散剂,包括聚乙烯基吡咯烷酮或聚苯乙烯-丙烯酸酯共聚物,使所述可还原的金属化合物和所述还原剂分散。
16.权利要求1的方法,其中通过印刷进行所述沉积。
17.权利要求1的方法,其中所述脉冲电磁发射具有小于20ms的脉冲长度。
18.权利要求1的方法,其中所述脉冲电磁发射大于500W/cm2。
19.在基底上制造导电薄膜的方法,所述方法包括:
将金属和还原剂分散在液体中;
将所述分散体以薄膜形式沉积在基底上;
使所述薄膜与所述基底一起在环境气氛中暴露于脉冲电磁发射,以使所述可还原的金属化合物与可能形成的金属氧化物和所述还原剂进行化学反应,从而使所述薄膜导电。
20.还原低温基底上的薄膜的方法,所述方法包括:
将可还原的金属化合物分散在第一液体中;
将还原剂分散在第二液体中;
将所述第一和第二分散体以薄膜形式沉积在基底上;和
使所述薄膜与所述基底一起在环境气氛中暴露于脉冲电磁发射,以引发所述基底上的所述可还原的金属化合物与所述还原剂之间的氧化还原反应。
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C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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