[发明专利]还原低温基底上的薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 200980150327.4 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN102245804A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: D·S·波普;K·A·施罗德;I·M·罗森 申请(专利权)人: NCC纳诺责任有限公司
主分类号: C23C18/00 分类号: C23C18/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 彭飞;林柏楠
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 还原 低温 基底 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.在基底上制造导电薄膜的方法,所述方法包括:

将可还原的金属化合物和还原剂分散在液体中;

将所述分散体以薄膜形式沉积在基底上;和

使所述薄膜与所述基底一起在环境气氛中暴露于脉冲电磁发射,以使所述可还原的金属化合物与所述还原剂进行化学反应,从而使所述薄膜导电。

2.权利要求1的方法,其中所述基底是纸。

3.权利要求2的方法,其中所述纸涂覆有受墨层。

4.权利要求1的方法,其中所述基底是聚合物。

5.权利要求4的方法,其中所述聚合物涂覆有受墨层。

6.权利要求1的方法,其中所述脉冲电磁发射是由激光器、闪光灯、定向等离子弧灯、微波、射频感应加热器、电子束和弧光灯的任一种产生的。

7.权利要求1的方法,其中所述液体是水。

8.权利要求1的方法,其中所述暴露进一步包括将所述基底传送经过所述脉冲电磁发射源,同时使所述基底固化。

9.权利要求1的方法,其中所述可还原的金属化合物是金属氧化物。

10.权利要求1的方法,其中所述可还原的金属化合物是选自由钼氧化物、钨氧化物、铼氧化物、铁氧化物、钌氧化物、锇氧化物、钴氧化物、铑氧化物、铱氧化物、镍氧化物、钯氧化物、铂氧化物、铜氧化物、银氧化物、金氧化物、锌氧化物、镉氧化物、铟氧化物、锗氧化物、锡氧化物、铅氧化物、锑氧化物和铋氧化物组成的组的化合物。

11.权利要求1的方法,其中所述可还原的金属化合物是金属盐。

12.权利要求1的方法,其中所述还原剂是选自由醇、醛、羧酸和炭黑组成的组的化合物。

13.权利要求1的方法,其中所述还原剂选自由铝、镁和锂组成的组。

14.权利要求1的方法,其中所述还原剂还包括甘油、抗坏血酸、1,2-己二醇和戊二酸。

15.权利要求1的方法,其中所述分散进一步包括使用各种分散剂,包括聚乙烯基吡咯烷酮或聚苯乙烯-丙烯酸酯共聚物,使所述可还原的金属化合物和所述还原剂分散。

16.权利要求1的方法,其中通过印刷进行所述沉积。

17.权利要求1的方法,其中所述脉冲电磁发射具有小于20ms的脉冲长度。

18.权利要求1的方法,其中所述脉冲电磁发射大于500W/cm2。

19.在基底上制造导电薄膜的方法,所述方法包括:

将金属和还原剂分散在液体中;

将所述分散体以薄膜形式沉积在基底上;

使所述薄膜与所述基底一起在环境气氛中暴露于脉冲电磁发射,以使所述可还原的金属化合物与可能形成的金属氧化物和所述还原剂进行化学反应,从而使所述薄膜导电。

20.还原低温基底上的薄膜的方法,所述方法包括:

将可还原的金属化合物分散在第一液体中;

将还原剂分散在第二液体中;

将所述第一和第二分散体以薄膜形式沉积在基底上;和

使所述薄膜与所述基底一起在环境气氛中暴露于脉冲电磁发射,以引发所述基底上的所述可还原的金属化合物与所述还原剂之间的氧化还原反应。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NCC纳诺责任有限公司,未经NCC纳诺责任有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980150327.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top