[发明专利]熔融玻璃搬运设备构件及玻璃制造装置有效
申请号: | 200980150354.1 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN102245519A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 浜岛和雄;筱原伸广;佐藤弘法 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | C03B5/225 | 分类号: | C03B5/225;C03B5/43 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 熔融 玻璃 搬运 设备 构件 制造 装置 | ||
技术领域
本发明涉及可很好地用于减压脱泡装置之类的玻璃制造装置的熔融玻璃搬运设备构件及包括该熔融玻璃搬运设备构件的玻璃制造装置。
背景技术
在减压脱泡装置之类的玻璃制造装置中,要求熔融玻璃的导管的构成材料的耐热性和对熔融玻璃的耐腐蚀性优良。作为满足该要求的材料,采用铂或铂合金(参照专利文献1)。在铂或铂合金制的熔融玻璃的导管周围以包围该导管的方式配置有隔热砖。
构成导管的铂或铂合金的热膨胀系数与配置于该导管周围的隔热砖的热膨胀系数不同,因此加热时的热膨胀量的差异和冷却时的收缩量的差异成为问题。
为了吸收上述的加热时的热膨胀量的差异或冷却时的收缩量的差异,在两者之间填充可浇铸水泥之类的无定形陶瓷材料,使两者在发生温度变化时可进行微小的相对移动。
专利文献1:日本专利特开2002-87826号公报
发明的揭示
但是,本发明人发现,由于配置了熔融玻璃的导管,因此在填充无定形的陶瓷材料时,有时无法彻底吸收加热时的热膨胀量的差异或冷却时的收缩量的差异。
图1是表示减压脱泡装置的一个结构例的剖视图。图1所示的减压脱泡装置100中,减压壳体120内收纳配置有减压脱泡槽130,使减压脱泡槽130的长轴沿水平方向取向。减压脱泡槽130的一端的下表面安装有上升管140,另一端的下表面安装有下降管150。在减压壳体120内,减压脱泡槽130、上升管140和下降管150的周围配置有隔热材料160。
上升管140经由导管170、180、190与熔融玻璃的上游侧的结构物(未图示,例如玻璃熔化槽)连接。下降管150经由导管200、220、240与下游侧的结构物(未图示,例如浮法锡槽之类的平板玻璃成形装置)连接。更具体而言,具有垂直方向的中心轴的上升管140经由在水平方向上具有中心轴的导管170、在垂直方向上具有中心轴的导管180、在水平方向上具有中心轴的导管190与上游侧的结构物连接。另一方面,在垂直方向上具有中心轴的下降管150经由在水平方向上具有中心轴的导管200、在垂直方向上具有中心轴的导管220、在水平方向上具有中心轴的导管240与下游侧的结构物连接。上升管140、下降管150、导管170、180、190、200、220、240是铂或铂合金制管。
虽未图示,但以包围所述铂或铂合金制管的方式配置有隔热砖,在该铂或铂合金制管与隔热砖之间填充有无定形的陶瓷材料。
上述结构中,对于单独的在垂直方向上具有中心轴的管(140、150、180、220)或单独的在水平方向上具有中心轴的管(170、190、200、240),铂或铂合金制管与隔热砖之间的加热时的热膨胀量的差异或冷却时的收缩量的差异可被填充于两者之间的无定形的陶瓷材料吸收。但是,在垂直方向上具有中心轴的管和在水平方向上具有中心轴的管的接合部(上升管140和导管170的接合部、下降管150和导管200的接合部、导管170和导管180的接合部、导管180和导管190的接合部、导管200和导管220的接合部、导管220和导管240的接合部),加热时的热膨胀量的差异或冷却时的收缩量的差异无法被无定形的陶瓷材料吸收,可能会在该接合部发生龟裂。如果在接合部发生龟裂,则存在因从该龟裂处泄漏的熔融玻璃而导致配置于周围的隔热砖被侵蚀的问题。因此,存在因修复操作而导致生产性下降、设备寿命缩短等问题。
本发明为了解决上述现有技术的问题,其目的是提供一种熔融玻璃搬运设备构件及包括该熔融玻璃搬运设备构件的玻璃制造装置,该熔融玻璃搬运设备构件包括陶瓷结构体,该陶瓷结构体中,因加热时的热膨胀或冷却时的收缩而导致的在垂直方向上具有中心轴的导管和在水平方向上具有中心轴的导管的接合部发生龟裂的现象得到防止,而且该陶瓷结构体在因任何原因导致熔融玻璃发生泄漏之类的情况下都不易被侵蚀。
为达到上述目的,本发明提供一种熔融玻璃搬运设备构件,其包括:
熔融玻璃用导管结构体,该熔融玻璃用导管结构体包括至少一根在垂直方向上具有中心轴的第一导管以及至少一根与所述第一导管连通的在水平方向上具有中心轴的第二导管,所述第一导管和所述第二导管由铂或铂合金构成;
陶瓷结构体,该陶瓷结构体配置于所述第一导管和所述第二导管的周围;
其特征在于,
所述陶瓷结构体包含以相对于整体组成的质量%计在75质量%以上的氧化锆,且立方晶氧化锆在所述氧化锆中所占的比例在80质量%以上;
所述陶瓷结构体的平均开口气孔率为5~60%;
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