[发明专利]电荷泵电路有效
申请号: | 200980150393.1 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN102265494A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 吉尔贝托·库拉托拉;尤里·维克多诺维奇·波诺马廖夫 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 电路 | ||
1.一种电荷泵电路(1,1’),包括
电源电压输入节点(10),用于施加要被升高的输入电压(Uin);
升压输出节点(11),用于输出升高的电压(Uout);
多个晶体管级,串联连接在所述电源电压输入节点(10)和所述升压输出节点(11)之间;
其中,至少一个晶体管级包括多栅极晶体管(D1,...,D5),所述多栅极晶体管(D1,...,D5)包括至少第一栅极(G)和第二栅极(Gi),其中第一栅极(G)实现为根据施加到第一栅极(G)上的电压使多栅极晶体管(D1,...,D5)导通或截止,第二栅极(Gi)实现为根据施加到第二栅极(Gi)上的控制电压(Φ1,Φ2),独立于所述第一栅极(G),来控制多栅极晶体管(D1,...,D5)的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的电荷泵电路(1,1’),其中,所述多个晶体管级的每个晶体管级均包括具有第一栅极(G)和第二栅极(Gi)的多栅极晶体管(D1,...,D5)。
3.根据权利要求1或2所述的电荷泵电路(1,1’),其中,所述多栅极晶体管(D1,...,D5)包括FinFET晶体管(D)。
4.根据前述任一权利要求所述的电荷泵电路(1,1’),包括:第一控制电压输入节点(12),用于施加第一控制电压(Φ1);以及第二控制电压输入节点(13),用于施加第二控制电压(Φ2)。
5.根据权利要求4所述的电荷泵电路(1,1’),其中,所述第一和第二控制电压(Φ1,Φ2)包括相位相反的实质方波信号(Φ1,Φ2)。
6.根据权利要求4或5所述的电荷泵电路(1,1’),包括:多个晶体管级,每个晶体管级具有多栅极晶体管(D1,...,D5),其中,第一控制电压输入节点(12)连接至交替的晶体管级的多栅极晶体管(D1,...,D5)的第二栅极(Gi),以施加第一控制电压(Φ1)来控制所述交替的晶体管级的多栅极晶体管(D1,...,D5)的阈值电压,第二控制电压输入节点(13)连接至其余的晶体管级的多栅极晶体管(D1,...,D5)的第二栅极(Gi),以施加第二控制电压(Φ2)来控制所述其余的晶体管级的多栅极晶体管(D1,...,D5)的阈值电压。
7.根据权利要求4至6之一所述的电荷泵电路(1,1’),包括:中间节点(N1,N2,N3,N4),用于将晶体管级的输出连接至下一晶体管级的输入;以及并联连接在相邻晶体管级的中间节点(N1,N2,N3,N4)与第一或第二控制电压输入节点(12,13)之间的多个电容器(C)。
8.根据权利要求7所述的电荷泵电路(1),其中,晶体管级的多栅极晶体管(D1,...,D5)的第二栅极(Gi)连接至第一或者第二控制电压输入节点(12,13),使得:
晶体管级的第二栅极(Gi)和连接到该晶体管级的输出的所述电容器(C’)都连接到相同的控制电压输入节点(12,13),以及
交替的晶体管级的多栅极晶体管(D1,D3,D5)的第二栅极(Gi)连接到第一控制电压输入节点(12),而其余的晶体管级的多栅极晶体管(D2,D4)的第二栅极(Gi)连接到第二控制电压输入节点(13)。
9.根据权利要求7所述的电荷泵电路(1’),其中晶体管级包括与多栅极晶体管(D)并联连接的二极管晶体管(T)。
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