[发明专利]在等离子体处理系统中控制离子能量分布

权利要求书

1.一种用等离子体处理至少衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括：

第一电极；

第二电极，所述第二电极不同于所述第一电极，所述第二电极配置为支承所述衬底；以及

第一信号源，其与所述第一电极耦合，并在所述等离子体处理系统中所述第二电极上处理所述衬底时，配置为通过所述第一电极提供非正弦信号以控制所述衬底上的离子能量分布，所述非正弦信号是周期性的。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述第二电极与所述第一电极相对放置从而在所述第二电极和所述第一电极之间放置所述衬底。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述第一电极通常为圆柱形并配置为环绕所述等离子体的至少一部分。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其进一步包括第二信号源，所述第二信号源与所述第一电极耦合，并配置为通过所述第一电极提供正弦信号以生成所述等离子体从而处理所述衬底。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其进一步包括第二信号源，所述第二信号源与所述第二电极耦合，配置为通过所述第二电极提供正弦信号以生成所述等离子体从而处理所述衬底。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其进一步包括：

第三电极；以及

第二信号源，其与所述第三电极耦合，并配置为通过所述第三电极提供正弦信号以生成所述等离子体从而处理所述衬底，

其中所述第二电极为电接地的。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理系统，其中所述第三电极通常为圆柱形并配置为环绕所述等离子体的至少一部分。

8.根据权利要求6所述的等离子体处理系统，其中所述第三电极与所述第二电极相对放置。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述第一电极的表面配置为面对所述衬底的表面，所述第一电极的所述表面的面积小于所处衬底的所述表面的面积。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中所述第一信号源配置为为所述第一电极提供周期性信号以施加所述非正弦信号到所述衬底，所述周期性信号包括至少第一组周期性倾斜部分，所述第一组周期性倾斜部分的每个倾斜部分具有抵消所增加的阳离子的正斜率。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理系统，其中所述周期性信号进一步包括至少周期性脉冲。

12.根据权利要求13所述的等离子体处理系统，其中所述非正弦信号进一步包括所述周期性脉冲之间的至少恒定负部分以吸引所述等离子体处理系统中的阳离子。

13.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其进一步包括：

环绕所述第一电极的接地部件，在所述接地部件的至少两部分之间放置所述第一电极；以及

放置在所述接地部件和所述第一电极的至少一部分之间以使所述第一电极和所述接地部件电绝缘的介电层。

14.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，进一步包括：

环绕所述第二电极的接地部件，在所述接地部件的至少两部分之间放置所述第二电极；以及

放置在所述接地部件和所述第二电极的至少一部分之间以使所述第二电极和所述接地部件电绝缘的介电层。

15.一种用等离子体处理至少衬底的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括：

第一电极；

第二电极，所述第二电极不同于所述第一电极，所述第二电极配置为支承所述衬底；

与至少所述第一电极和所述第二电极之一耦合的第一信号源，在所述等离子体处理系统中处理所述衬底时，所述第一信号源配置为通过所述第一电极提供非正弦信号以控制所述衬底上的离子能量分布，所述非正弦信号是周期性的；

环绕所述至少所述第一电极和所述第二电极之一的接地部件，在所述接地部件的至少两部分之间放置所述至少所述第一电极和所述第二电极之一；以及

放置在所述接地部件与所述至少所述第一电极和所述第二电极之一的至少一部分之间的介电层，所述介电层配置为所述至少所述第一电极和所述第二电极之一与所述接地部件电绝缘。