[发明专利]反射型掩模用低膨胀玻璃基板及其加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工序中的光刻工序中使用的、尤其是作为EUV(Extreme Ultra Violet：极端紫外)光刻中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板及其加工方法、以及具备该玻璃基板的反射型掩模。

背景技术

一直以来，在光刻技术中，广泛利用用于将微细的电路图案转印到晶片上而制造集成电路的曝光装置。伴随着集成电路的高集成化及高功能化，集成电路的微细化不断发展，要求曝光装置能够以深的焦点深度将高析像度的电路图案成像在晶片面上，因而曝光光源的短波长化不断发展。

曝光光源从以往的g线(波长436nm)、i线(波长365nm)或KrF准分子激光器(波长248nm)进一步发展，而使用了ArF准分子激光器(波长193nm)。

在此种技术动向中，使用EUV光(极端紫外光)作为曝光光源的光刻技术作为制造比电路尺寸32～45nm更微细的半导体装置的光刻技术而引起关注。EUV光是指软X射线区域或真空紫外区域的波长带的光，具体而言是指波长为0.2～100nm左右的光。在当前时点，讨论的是使用13.5nm的光作为光刻光源的情况。该EUV光刻(以下，简称为“EUVL”)的曝光原理是，在使用投影光学系统转印掩模图案的方面上与以往的光刻相同，但由于没有EUV光的能量区域的光所透过的材料而无法使用折射光学系统，因而使用反射光学系统。(参照专利文献1)

EUVL中使用的反射型掩模基本上包括(1)基板、(2)形成在基板上的反射多层膜、(3)形成在反射多层膜上的吸收体层。作为反射多层膜，使用将相对于曝光光的波长而折射率不同的多个材料以nm级进行周期性的层叠而形成的结构的多层膜，作为代表性的材料，已知有Mo和Si。而且，对于吸收体层正在研究Ta或Cr。

作为基板，为了在EUV光照射下也不产生变形而需要具有低热膨胀系数的材料，目前正在研究具有低热膨胀系数的玻璃。以下，在本说明书中，将具有低热膨胀系数的玻璃总称为“低膨胀玻璃”或“超低膨胀玻璃”。

对于基板如下所述进行制造：将这些低膨胀玻璃或超低膨胀玻璃材料切断成规定的形状及尺寸后，将该基板的形成反射多层膜的面即基板的主面加工成平面度极小的面，具体而言，加工成平面度为50nm以下的面。因此，测定基板的主面的平面度时，需要以误差±10nm以内这样非常高的精度进行测定。

另一方面，关于基板的侧面，专利文献2中提出为了防止来自基板侧端面的异物(微小的玻璃碎片)的产生而将基板的侧面、倒棱部及缺口部中的任一者镜面加工成表面粗糙度Ra0.05μm以下的情况，但对于基板的侧面及倒棱部的平面度，考虑通常水平的加工即可。

专利文献1：日本特表2003-505891号公报

专利文献2：日本特开2005-333124号公报

发明内容

然而，本发明者们发现了在要求高精度地测定主面的平面度的反射型掩模用基板的情况下，基板的侧面或倒棱部的表面特性、具体而言侧面或倒棱部的平面度会影响主面的平面度的测定的情况。

本发明鉴于上述课题而作出，其目的在于提供一种能够以误差±10nm以内这样非常高的精度测定主面的平面度的反射型掩模用低膨胀玻璃基板、及用于得到该反射型掩模用低膨胀玻璃基板的玻璃基板的加工方法、以及具备该反射型掩模用低膨胀玻璃基板的反射型掩模。

为了实现上述目的，本发明提供一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。

另外，本发明提供一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，在沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面与该低膨胀玻璃基板的主面之间的角部上设置的倒棱部的平面度分别为25μm以下。

另外，本发明提供一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度、及在该2个侧面与该低膨胀玻璃基板的主面之间的角部上设置的倒棱部的平面度分别为25μm以下。

在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板中，优选所述2个侧面的平行度为0.01mm/英寸。

在本发明的反射型掩模用低膨胀玻璃基板中，优选所述低膨胀玻璃基板的主面和所述2个侧面的直角度分别为0.01mm/英寸以下。