[发明专利]单片光电子TWE部件结构

权利要求书

1.一种单片光电子装置，包括：

波导，其包括芯、邻近该芯的包层以及连接到该波导的至少一部分的至少一个电极；以及

光学连接到该波导的斑点尺寸转换器，所述斑点尺寸转换器包括芯以及邻近该芯的包层；

其中，波导的包层比斑点尺寸转换器的包层被以更高的浓度掺杂。

2.如权利要求1所述的单片光电子装置，其中波导的包层比斑点尺寸转换器的包层更薄。

3.如权利要求1所述的单片光电子装置，其中所述电极包括行进波电极。

4.如权利要求1所述的单片光电子装置，其中所述装置包括马赫-曾德尔调制器。

5.如权利要求1所述的单片光电子装置，其中波导和斑点尺寸转换器的包层是通过选择性蚀刻和再生长工艺来选择性地形成具有不同掺杂的区域而被制造的。

6.一种单片光电子装置，包括：

波导，其包括芯、邻近该芯的包层以及连接到该波导的至少一部分的至少一个电极；以及

光学连接到该波导的斑点尺寸转换器，所述斑点尺寸转换器包括芯以及邻近该芯的包层；

其中，波导的包层比斑点尺寸转换器的包层更薄。

7.如权利要求6所述的单片光电子装置，其中波导的包层比斑点尺寸转换器的包层被以更高的浓度掺杂。

8.如权利要求6所述的单片光电子装置，其中所述电极包括行进波电极。

9.如权利要求6所述的单片光电子装置，其中所述装置包括马赫-曾德尔调制器。

10.如权利要求6所述的单片光电子装置，其中波导和斑点尺寸转换器的包层是通过选择性蚀刻和增强再生长工艺来选择性地形成具有不同厚度的区域而被制造的。

11.一种用于制造单片光电子装置的方法，所述单片光电子装置具有：波导，所述波导包括芯、邻近该芯的包层以及与该波导的至少一部分相连的至少一个电极；以及光学连接到所述波导的斑点尺寸转换器，所述斑点尺寸转换器包括芯和邻近该芯的包层；所述方法包括：

提供晶圆，其具有芯以及邻近该芯的由高度掺杂的半导体材料制成的包层；

将掩模放置在晶圆上，以覆盖包层的其上将要形成波导的电极的那些区域；

蚀刻掉包层的没有被掩模覆盖的至少一部分区域；

用掺杂浓度较低的半导体材料替换包层的被蚀刻的区域并且形成如果不同厚度的区域，以使得波导的包层比斑点尺寸转换器的包层更薄；以及

在包层的所选择的未蚀刻区域上形成波导的电极。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述电极包括行进波电极。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述装置包括马赫-曾德尔调制器。

14.如权利要求11所述的方法，其中替换包层的被蚀刻的区域的步骤包括再生长半导体材料以选择性地生成具有不同厚度的包层的区域。