[发明专利]一氧化氮电子传感器

权利要求书

1.半导体装置（1），其包括一对彼此隔开以在有机半导体层（14）中限定沟道区域（16）的电极（18）、用于控制所述沟道区域的栅结构（10）和至少部分交叠所述沟道区域的受体层（22），所述受体层包括选自式I或式II的一氧化氮配位络合物：

其中M是Pb或选自第3-12族过渡金属的过渡金属离子，其中R是未取代或取代的亚芳基或亚杂芳基官能团，以及其中X是氮离子或卤素离子。

2.权利要求1的半导体装置（1），其中该过渡金属离子选自Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Pb和Zn。

3.权利要求2的半导体装置（1），其中该过渡金属离子是Fe离子。

4.权利要求3的半导体装置（1），其中该一氧化氮配位络合物是式III的化合物：

其中R’是氢或烷基取代基，以及其中X是卤素离子或硝酸根离子。

5.权利要求1的半导体装置（1），其中该栅结构（10）和该受体层（22）位于该沟道区域（16）的相对侧。

6.权利要求5的半导体装置（1），其中该受体层（22）与该沟道区域（16）由保护层（20）分隔开。

7.权利要求1的半导体装置（1），其中该受体层（22）设置在该栅结构（10）之上。

8.权利要求1的半导体装置（1），其中该有机半导体沟道区域（16）包括聚芳基胺。

9.权利要求1的半导体装置（1），其中该有机半导体层（14）覆盖该电极对（18）。

10.权利要求1的半导体装置（1），其中该电极（18）是金电极。

11.权利要求1的半导体装置（1），其中该有机半导体层（14）是自组装的单层，以及其中该一氧化氮配位络合物化学键合到所述单层上。

12.传感装置（100），包括：

与流体入口（102）连通的测量室，所述测量室包括根据权利要求1-11任一项的半导体装置（1）；

与该半导体装置连接用于将来自该半导体装置的信号与一氧化氮浓度相关联的处理器（120）；和

用于为用户提供该一氧化氮浓度的输出器（140）。

13.权利要求12的传感装置（100），其中该输出器（140）包括显示器。

14.权利要求12的传感装置（100），其中该传感装置是呼吸分析仪。

15.测定呼出的气息中一氧化氮浓度的方法，所述方法包括：

提供权利要求14中所述的呼吸分析仪（100）；

将气息呼出到该入口（102）中；和

测定NO浓度。