[发明专利]包括间隔斜坡的光伏电池及其制造方法无效
申请号: | 200980150839.0 | 申请日: | 2009-12-02 |
公开(公告)号: | CN102257627A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 布鲁斯·E·亚当斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 间隔 斜坡 电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造光伏电池的方法,其包含以下步骤:
提供覆板,其具有前侧和背侧,该背侧其上具有多个间隔斜坡,该多个间隔斜坡包含斜坡表面和实质上与该覆板的该背侧垂直的垂直面;
在该覆板的该背侧上沉积透明导电氧化物层,使得实质上无透明导电氧化物涂覆在该多个间隔斜坡的垂直面上;
在该透明导电氧化物层上沉积硅层,使得沉积在该多个间隔斜坡的垂直面上的该硅层不接触位于该多个间隔斜坡的斜坡表面上的该透明导电氧化物层;
在该硅层上沉积金属层,产生多个尖峰,其从所述斜坡表面延伸通过该金属层;以及
除去延伸通过该金属层的该多个尖峰的至少一部分,以完成实质上平坦的表面,其延伸在该覆板上,以产生光伏电池。
2.根据权利要求1所述的方法,更包含以下步骤:施加聚合物层压层至平坦的该金属层上,而后施加玻璃层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中该多个间隔斜坡被隔开,而使每一个间隔斜坡之间有平坦覆板区域。
4.根据权利要求1所述的方法,其中该透明导电氧化物层是利用物理气相沉积法来沉积的,且该透明导电氧化物层是以一角度而沉积的,使得该多个间隔斜坡的所述垂直面受所述斜坡表面遮蔽。
5.根据权利要求1所述的方法,其中该硅层是利用化学气相沉积法来沉积的。
6.根据权利要求1所述的方法,其中该金属层内的该多个尖峰是利用包含抛光、研磨和切割的一或多种工艺的步骤来平坦化的。
7.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含以下步骤:在沉积该透明导电氧化物层后利用以一掠射角执行的激光剥蚀法清洁该多个间隔斜坡的该垂直面,以实质上仅触及所述垂直面。
8.根据权利要求1所述的方法,其中该覆板是玻璃或塑料,并且该多个间隔斜坡是通过凹版印刷、轮转凹版印刷、蚀刻、镂蚀法、凸版印刷和平板印刷技术的一或多种形成在该覆板上。
9.一种光伏电池,其包含:
覆板,具有前侧及背侧,该背侧具有多个间隔斜坡,其包括斜坡表面和实质上与该覆板的该背侧垂直的垂直面;
透明导电氧化物层,其位于该覆板的该背侧;
非晶硅层,覆于该透明导电氧化物层上;以及
金属层,覆于该硅层上,该金属层具有面向该硅层的前侧以及背侧。
10.根据权利要求9所述的光伏电池,其中该多个间隔斜坡从该覆板延伸通过所述层的至少一部分,并且该金属层经平滑化,因而产生实质上平坦的背表面并暴露出该硅层的部分,且该硅层不延伸至该多个间隔斜坡的该垂直面上。
11.根据权利要求10所述的光伏电池,其进一步包含位于该金属层上的聚合物层压层,以及位于该聚合物层压层上方的玻璃。
12.根据权利要求9所述的光伏电池,其中该多个间隔斜坡之间的距离为在约5毫米至约10毫米范围内,且该多个间隔斜坡从该覆板的该背侧往外延伸至约5微米高。
13.根据权利要求9所述的光伏电池,其中该覆板为约3毫米厚,且该覆板是玻璃。
14.根据权利要求9所述的光伏电池,其中该金属层是选自由铝、钼及其组合物所组成的组。
15.根据权利要求9所述的光伏电池,该光伏电池具有小于约100微米的无效区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的