[发明专利]太阳能电池用电极、其制造方法及太阳能电池无效
申请号: | 200980150961.8 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN102257629A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 檀澈湖;田太铉;宋河澈 | 申请(专利权)人: | SSCP株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01B1/22 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;钟海胜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 用电 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池用电极制造方法,在利用包含粘接剂高分子、稀释溶剂、金属电极材料及玻璃粉末的太阳能电池电极用合成物通过印刷法制造太阳能电池用电极的方法中,包括如下步骤:
为基板和电极的接触特性,将上述粘接剂高分子为低Tg粘接剂高分子的合成物印刷于基板上部;及为提高纵横比,用上述粘接剂为高Tg粘接剂高分子的合成物进行强化印刷。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:上述低Tg粘接剂高分子的Ta为-40~10℃范围之内。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:上述高Tg粘接剂高分子的Tg为50~120℃范围之内。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:上述低Tg粘接剂可使用由从丙烯酸乙酯(EA)、丙烯酸羟乙酯(HEA)、丙烯酸羟丙酯(HPA)、2-乙基丙烯酸己酯(2-EHA)、丙烯酸丁酯(BA)、甲基丙烯酸十八酯(SMA)、乙烯基正丁基醚(VBE)、乙烯基乙醚(VEE)、异丁基乙烯基醚(VIE)、甲基乙烯基醚(VME)中选择的一种以上。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:上述高Tg粘接剂高分子使用由丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸乙酯(EMA)、甲基丙烯酸异丁酯(i-BMA)、2-羟乙基甲基丙烯酸酯(2-HEMA)、苯乙烯单体(SM)、甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)、丙烯酰胺(AAM)、丙烯腈(AN)、甲基丙烯腈(MAN)等合成的粘接剂之外,还可包括从乙基纤维素(Ethyl cellulose)、羟乙基纤维素(Hydroxyethyl cellulose)、羟丙基纤维素(Hydroxypropyl cellulose)及羟乙基羟丙基纤维素(Hydroxyethylhydroxypropyl cellulose)的纤维素衍生物中选择的一种以上。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:在利用含低Tg粘接剂高分子的合成物进行印刷的步骤和利用含高Tg粘接剂高分子的合成物进行强化印刷的步骤之间,还包括利用含中Tg粘接剂高分子的合成物进行印刷的步骤。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:上述中Tg粘接剂高分子的Tg具有低Tg粘接剂高分子的Tg和高Tg粘接剂高分子的Tg之间的值。
8.根据权利要求1至7的任意项所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:上述印刷法为凹版胶印印刷法。
9.根据权利要求1至7的任意项所述的太阳能电池用电极制造方法,其特征在于:经上述利用含高Tg粘接剂高分子的合成物进行强化印刷的步骤并烧制之后的电极纵横比(高/宽)为0.3~0.1。
10.一种太阳能电池用电极,其特征在于:利用权利要求1至7的任意项所述的太阳能电池用电极制造方法制造而成,而且,其电极宽度为30~100μm,高度为30~100μm,而电极纵横比(高度/宽度)为0.3~1.0。
11.一种太阳能电池用基板,在基板上部具备母线电极及指状电极的太阳能电池用基板中,上述母线电极及指状电极中的至少一个以上,是将包括利用含低Tg高分子粘接剂的导电膏合成物进行印刷的下部印刷层及利用含高Tg高分子粘接剂的导电膏合成物进行印刷的上部印刷层的电极烧制而成的。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池用基板,其特征在于:上述母线电极及指状电极中的至少一个以上,其电极宽度为30~100μm,高度为30~100μm,而电极纵横比(高度/款度)为0.3~1.0。
13.一种太阳能电池,在基板上部具备母线电极及指状电极且在基板下部具备背面电极的太阳能电池中,上述母线电极及指状电极中的至少一种以上,利用上述太阳能电池用电极制造方法制造而成,而且,其电池效率为17%以上。
14.一种太阳能电池,具备权利要求11或12的太阳能电池基板,而且,其电池效率为17%以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的