[发明专利]线锯装置和在线锯切割期间连续去除磁性杂质的方法有效
申请号: | 200980151102.0 | 申请日: | 2009-12-21 |
公开(公告)号: | CN102257603A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | S.格伦比尼;R.纳加拉詹 | 申请(专利权)人: | 嘉柏微电子材料股份公司 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L31/042 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 宋莉 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 在线 切割 期间 连续 去除 磁性 杂质 方法 | ||
1.用于在线锯切割过程期间从线锯切割浆料中去除磁性或磁化污染物的方法,包括以下步骤:
将研磨浆料从再循环浆料分配系统施加到移动的线锯上;
使用所述移动的线锯和所施加的研磨浆料切割工件;
将研磨浆料从所述工件输送回到所述再循环浆料分配系统中;
将所述浆料的至少一部分传送通过至少一个磁力分离器以从所述浆料中去除磁性或磁化污染物;和
将传送通过所述磁力分离器的浆料排出回到所述再循环浆料分配系统内的循环中。
2.权利要求1的方法,其中所述至少一个磁力分离器包括两个或更多个并联布置的磁力分离器。
3.权利要求1的方法,其中所述至少一个磁力分离器包括两个或更多个串联布置的磁力分离器。
4.权利要求1的方法,其中所述再循环浆料分配系统包括收集器以收集来自所述工件的使用过的浆料,且所述磁力分离器至少部分地浸在所述收集器中。
5.权利要求1的方法,其中所述再循环浆料分配系统包括浆料罐,且所述磁力分离器至少部分地浸在所述浆料罐中。
6.权利要求1的方法,其中所述再循环浆料分配系统包括热交换器。
7.权利要求6的方法,其中所述热交换器位于所述系统中使用过的浆料从所述工件输出的位置与使用过的浆料进入所述磁力分离器的位置之间。
8.权利要求1的方法,其中所述工件选自硅锭、多晶硅锭、砷化镓锭、陶瓷锭、石英锭、二氧化硅锭和玻璃锭。
9.权利要求1的方法,其中所述再循环浆料分配系统包括浆料罐和分离器浆料回路,所述分离器浆料回路适合于将浆料从所述浆料罐输送通过所述磁力分离器和回到所述浆料罐。
10.线锯切割装置,包括:
适合于固定工件的安装和支撑头;
线锯,其相对于所述安装和支撑头定位使得在操作时所述工件可与所述线锯接触;
用于将浆料从再循环浆料分配系统施加到所述线锯上的施加区域,所述施加区域定位和适合用于将抛光浆料输送至所述线锯,所述再循环浆料分配系统限定浆料流动路径;
线锯浆料出口区域,其适合于引导浆料离开所述线锯和所安装的工件并回到所述再循环浆料分配系统中;
所述再循环分配系统,其包括至少一个用于从所述浆料中去除磁性或可磁化的污染物的磁力分离器;
其中所述磁力分离器包括适合于将所述浆料的至少一部分接收到所述磁力分离器中的入口和适合于将经纯化的浆料排出回到所述再循环浆料分配系统内的循环中的出口。
11.权利要求10的线锯装置,其中所述再循环浆料分配系统进一步包括:
(a)分流器,其定位于所述线锯浆料出口区域与所述分离器入口之间,且适合于将所述浆料的至少一部分分流至所述磁力分离器;
(b)接合器,其定位于所述分流器、所述磁力分离器的出口和所述施加区域之间,且适合于将从所述磁力分离器的出口排出的浆料与未分流至所述磁力分离器的那部分浆料合并回到所述再循环浆料分配系统中在所述接合器与所述施加区域之间的区域处的循环中。
12.权利要求10的线锯装置,其中所述再循环浆料分配系统进一步包括:
(a)两个或更多个并联布置的磁力分离器;
(b)分配器,其定位于所述线锯浆料出口区域与所述磁力分离器的入口之间,且适合于将在所述线锯浆料出口区域处加回到循环中的浆料传送至所述磁力分离器的入口;
(c)合并器,其定位于所述施加区域和所述磁力分离器出口之间,且适合于将从所述磁力分离器排出的经纯化的浆料合并回到所述再循环浆料分配系统内的再循环中。
13.权利要求10的线锯装置,其中所述再循环浆料分配系统进一步包括两个或更多个串联布置的磁力分离器。
14.权利要求10的线锯装置,其中所述再循环浆料分配系统进一步包括:
(a)收集器,其定位和适合用于收集来自所述线锯浆料出口区域的浆料;
(b)收集器出口,其定位于所述收集器中适合用于将所收集的浆料排出回到所述浆料分配系统内的循环中;且所述磁力分离器至少部分地浸在所述收集器中并适合于纯化流动通过所述再循环浆料分配系统的浆料的至少一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造