[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种光伏电池，所述电池包括：

具有前表面和后表面的体硅材料的硅基底；

在所述基底的后表面上的发射极层；

穿过所述发射极层的细长通道；

到所述硅基底的体的细长触部，所述触部在所述细长通道中的至少一些内，其中所述触部比所述通道窄；以及

在所述细长触部的至少一些与所述触部的侧部上的所述发射极层之间的发射极中的间隙。

2.如权利要求1所述的电池，其中，所述发射极层包括具有与所述硅基底相反的极性的掺杂层。

3.如权利要求1或2所述的电池，其中，所述发射极包括由设置在所述基底的后表面上的钝化层形成的感应发射极。

4.如权利要求1或2所述的电池，其中，所述电池还包括产生在所述基底的后表面的发射极层上的钝化层。

5.如前述权利要求中任一项所述的电池，其中，所述细长触部具有10μm-100μm之间的宽度。

6.如前述权利要求中任一项所述的电池，其中，所述细长触部具有10μm-100μm之间的厚度。

7.如前述权利要求中任一项所述的电池，其中，所述细长触部的高度与宽度比在大约0.3和3之间。

8.如前述权利要求中任一项所述的电池，其中，所述触部由在其厚度上基本均匀的导电材料形成。

9.如前述权利要求中任一项所述的电池，其中，在到所述体材料的触部和所述基底之间，形成有重掺杂层。

10.如权利要求6所述的电池，其中，所述间隙在所述重掺杂层与所述发射极层之间隔开。

11.如前述权利要求中任一项所述的电池，其中，所述电池还包括穿过所述基底后表面上的钝化层的附加的细长通道，以及穿过所述钝化层在所述通道内的到所述发射极层的附加的细长触部。

12.如权利要求1至10中任一项所述的电池，其中，所述电池还包括位于所述基底的前表面的发射极层和位于所述基底的前表面的发射极层上的钝化层，并且所述电池还包括到位于所述基底的前表面的发射极层的触部。

13.如权利要求11或12所述的电池，其中，到所述发射极层的所述细长触部具有在10μm-100μm之间的宽度。

14.如权利要求11至13中任一项所述的电池，其中，到所述发射极层的所述细长触部具有在10μm-100μm之间的厚度。

15.如权利要求11至14中任一项所述的电池，其中，对所述发射极层的所述细长触部的高度与宽度比在大约0.1和1之间.

16.如前述权利要求中任一项所述的电池，其中，所述电池包括在其后表面的附加钝化层。

17.如权利要求16所述的电池，其中，所述附加钝化层仅仅存在于所述间隙中。

18.如前述权利要求中任一项所述的电池，还包括：

在所述电池的后表面的反射层。

19.如权利要求18所述的电池，其中，所述反射层是薄金属层。

20.如权利要求18所述的电池，其中，所述反射层是介电层。

21.一种产生穿过发射极的到硅基底的触部的方法，所述方法包括：

在所述基底的表面的发射极层中形成开口；以及

在所述开口中沉积导电材料，所述导电材料在尺寸上比所述开口小，使得在所述导电材料与所述开口的侧壁之间留有间隙。

22.如权利要求21所述的方法，其中，产生穿过发射极的对到硅基底的触点触部包括产生对到在所述发射极层上具有具有钝化层的硅基底的触点触部，并且其中形成产生开口包括产生形成穿过所述钝化层并穿过所述发射极层的至少一部分的开口。

23.如权利要求21或22所述的方法，其中所述方法还包括：

对沉积的导电材料和所述基底的连接点进行重掺杂。

24.如权利要求22或23所述的方法，其中所述方法还包括：

在所述表面的钝化层中形成附加开口；以及

在所述开口中沉积导电材料，从而产生到所述发射极层的触部。