[发明专利]用来最小化RFLATNESS和改善音频性能的恒定开关VGS电路

权利要求书

1.一种定义了导通状态和关断状态的开关电路，该开关电路在导通时将输入节点耦合到输出节点，该电路包括：

MOSFET器件，该MOSFET器件具有栅极、被耦合到所述输入节点的源极和被耦合到所述输出节点的漏极；其中，当该MOSFET器件导通时，所述输入节点处的输入电压信号通过该MOSFET器件被耦合到所述输出节点；

第一电路，包括：具有被连接到所述输入电压信号的输入端和提供该输入电压信号的输出端的单位增益放大器；

偏置电路，包括：具有被连接到偏置电压信号的输入端和提供该偏置电压信号的输出端的单位增益放大器；

信号求和电路，所述信号求和电路接收所述第一电路和所述编置电路二者的输出，并输出栅极驱动电压，该栅极驱动电压等于所述第一电路的输出和所述偏置电路的输出之和；其中该栅极驱动电压的信号被耦合到所述MOSFET器件的栅极。

2.如权利要求1所述的开关电路，还包括：

连接到所述第一电路的输出端的第一电阻，所述第一电阻传送电流I1，所述电流I1等于所述输入电压信号除以所述第一电阻；

连接到所述偏置电路的输出端的第二电阻，所述第二电阻传送电流Ibias，所述电流Ibias等于所述偏置电压信号除以所述第二电阻；

第一电流镜，输出I1的镜像电流；

第二电流镜，输出Ibias的镜像电流；并且，其中所述信号求和电路包括设置为接受所述第一镜像电流和第二镜像电流的第三电阻。

3.如权利要求2所述的开关电路，其中所述第一电阻、第二电阻和第三电阻的电阻值彼此相等。

4.如权利要求1所述的开关电路，其中所述第一电路的所述单位增益放大器包括：

第一运算放大器，所述第一运算放大器的反相输入端连接到所述输入电压信号；

第一MOSFET，所述第一MOSFET的栅极耦合到所述第一运算放大器的输出端，并且所述第一MOSFET的漏极回连到所述单位增益放大器的非反相输入端；

第一电阻，连接到所述第一MOSFET的漏极，其中第一电流I1从所述第一MOSFET的漏极流经所述第一电阻；

第二MOSFET，被耦合以对第一电流I1进行镜像并提供I1’；

并且所述偏置电路的单位增益放大器包括：

第二运算放大器，所述第二运算放大器的反相输入端连接到所述偏置电压信号；

第三MOSFET，所述第三MOSFET的栅极耦合到所述第二运算放大器的输出端，并且所述第三MOSFET的漏极回连到所述第二单位增益放大器的非反相输入端；

第二电阻，连接到所述第三MOSFET的漏极，其中偏置电流Ibias从所述第三MOSFET的漏极流经所述第二电阻；

第四MOSFET，被耦合以对电流Ibias进行镜像并提供I’bias；以及其中所述信号求和电路包括第三电阻，所述第三电阻被配置为接受I1’和I’bias并且向所述MOSFET器件的栅极输出所述栅极驱动电压信号。

5.一种驱动MOSFET开关的栅极的方法，所述MOSFET开关在导通时将输入节点电压耦合到输出节点，所述方法包括步骤：

单位放大所述输入节点电压，以提供等于所述输入节点电压的单位增益输出；

将所述单位增益输出耦合到第一电阻以产生第一电流I1；

单位放大偏置电压输入，以提供等于所述偏置电压输入的偏置输出；

将所述偏置输出耦合到第二电阻以产生偏置电流Ibias；

分别对第一电流I1和偏置电流Ibias进行镜像以产生I1’和I’bias；

通过第三电阻将I1’和I’bias相加，以产生栅极驱动信号；以及

将所述栅极驱动信号耦合到所述MOSFET开关的栅极。