[发明专利]太阳能电池有效

申请号：	200980151490.2	申请日：	2009-12-16
公开（公告）号：	CN102257625A	公开（公告）日：	2011-11-23
发明（设计）人：	皮特·恩格尔哈特;斯文·万卡;威廉默斯·马蒂吉斯·玛丽·凯塞尔斯;吉吉斯·丁厄曼斯	申请（专利权）人：	Q-电池公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224
代理公司：	北京市德恒律师事务所 11306	代理人：	陆鑫;高雪琴
地址：	德国比特费尔***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池
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【权利要求书】：

1.一种太阳能电池，其含半导体层(1)、收集层(6)和位于半导体层(1)与收集层(6)之间的缓冲层(3)，其中收集层(6)用于收集来自半导体层(1)的自由载流子，缓冲层(3)被设计成位于半导体层(1)和收集层(6)之间的隧道触点(31)，其特征在于，缓冲层(3)主要由表面电荷密度不小于10¹²cm^-2、优选不小于5×10¹²cm^-2、更优选不小于10¹³cm^-2的材料制成。

2.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，缓冲层(3)主要由表面电荷密度为负的材料制成。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，缓冲层(3)主要由氧化铝制成。

4.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，形成无针孔的缓冲层(3)。

5.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，采用原子层沉积预先涂覆缓冲层(3)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，缓冲层(3)的厚度介于0.1至10纳米之间、优选介于1至3纳米之间。

7.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，半导体层(1)由晶体半导体制成。

8.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，半导体层(1)为n型掺杂或p型掺杂。

9.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，与缓冲层(3)相邻的半导体层(1)包含掺杂层(5)及/或由缓冲层(3)感应产生的反型层(4)或累积层(4)。

10.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，缓冲层(3)被设计为抗反射层(11)。

11.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，收集层(6)含金属、金属合金及/或透明导体材料。

12.根据权利要求1至9中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，收集层(6)含半导体。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，收集层(6)含非晶半导体。