[发明专利]太阳能电池无效

申请号：	200980151496.X	申请日：	2009-12-16
公开（公告）号：	CN102257623A	公开（公告）日：	2011-11-23
发明（设计）人：	皮特·恩格尔哈特;斯文·万卡;威廉默斯·马蒂吉斯·玛丽·凯塞尔斯;吉吉斯·丁厄曼斯	申请（专利权）人：	Q-电池公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/0224
代理公司：	北京市德恒律师事务所 11306	代理人：	陆鑫;高雪琴
地址：	德国比特费尔***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池
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【权利要求书】：

1.一种太阳能电池，其包含首先掺杂的半导体层(1)、在半导体层(1)上的感应层(3)和反型层(4)或累积层(4)，反型层(4)或累积层(4)乃由感应层(3)在感应层(3)下方的半导体层(1)中感应产生，其特征在于，感应层(3)包含表面电荷密度不小于10¹²cm^-2、优选不小于5×10¹²cm^-2、更优选不小于10¹³cm^-2的材料。

2.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，缓冲层(3)主要由表面电荷密度为负的材料构成。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，感应层(3)主要含氧化铝。

4.根据权利要求1或2中一项所述的太阳能电池，其特征在于，感应层(3)下方的半导体层(1)中形成有扩散层(5)，其中由感应层(3)感应产生的反型层(4)或累积层(4)部分或完全形成于扩散层(5)中。

5.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，形成无针孔的感应层(3)。

6.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，采用原子层沉积法形成感应层(3)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，感应层(3)的厚度介于0.1至10纳米之间、优选介于0.1至5纳米之间。

8.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，感应层(3)几乎延展于半导体层(1)的整个表面上。

9.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，半导体层(1)含晶体或非晶硅。

10.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，感应层(3)的远离半导体层(1)的面上设有导电层(7)。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，感应层(3)的远离半导体层(1)的面上形成有晶体或非晶的另一半导体层(1)。

12.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池被设计为背接触太阳能电池。

13.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池被设计为发射极穿孔卷绕太阳能电池。