[发明专利]具有低串扰的背照明传感器有效
申请号: | 200980151625.5 | 申请日: | 2009-12-16 |
公开(公告)号: | CN102246302A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | J·P·麦卡特恩;J·R·萨马;C·A·蒂瓦拉斯 | 申请(专利权)人: | 美商豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 低串扰 照明 传感器 | ||
1.一种背照明图像传感器,其包括:
传感器层,具有前侧及与所述前侧相对的背侧;
绝缘层,相邻于所述背侧;
电路层,相邻于所述前侧;
第一类型导电性的多个光电检测器,用于将入射至所述背侧上的光转换为光生电荷,所述光电检测器具有耗尽区域,其中所述多个光电检测器相邻于所述前侧而安置于所述传感器层中;
第二类型导电性的区域,形成于所述传感器层的相邻于所述前侧的至少一部分中,并且连接至电压端子,用于以预定电压加偏压于所述第二类型导电性区域;
第二类型导电性的阱,相邻于所述背侧而形成于所述传感器层中;及
在所述传感器层中的沟槽隔离,所述沟槽隔离开始于所述前侧且延伸超过所述光电检测器的耗尽区域。
2.如权利要求1所述的背照明图像传感器,其特征在于,所述沟槽隔离具有第二类型导电性的内衬,所述内衬将相邻于所述前侧的第二类型导电性的区域与相邻于所述背侧的该阱相连接。
3.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器,其特征在于,所述沟槽隔离延伸至所述绝缘层。
4.如权利要求3所述的背照明图像传感器,其特征在于,所述沟槽隔离包括未延伸至所述绝缘层的诸部分,以便连接相邻光电检测器之间的背侧处的所述阱。
5.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器,其特征在于,所述第一类型导电性为正。
6.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器,其特征在于,所述第二类型导电性为负。
7.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器,其特征在于,所述光电二极管形成于p外延衬底中。
8.如权利要求1或2所述的背照明图像传感器,其特征在于,形成在相邻于所述前侧的传感器层的至少一部分中的所述第二类型导电性的区域是n阱。
9.一种用于制造背照明图像传感器的方法,其包括:
提供传感器层,所述传感器层具有前侧及与所述前侧相对的背侧;
使绝缘层定位成相邻于所述背侧;
使电路层定位成相邻于所述前侧;
提供第一类型导电性的多个光电检测器,所述多个光电检测器用于将入射至背侧上之光转换为光生电荷,所述光电检测器具有耗尽区域,其中所述多个光电检测器相邻于所述前侧而安置在所述传感器层中;
在相邻于所述前侧的所述传感器层的至少一部分中,形成第二类型导电性的区域;
以预定电压加偏压于所述第二类型导电性区域;
在所述传感器层中相邻于所述背侧形成第二类型导电性的阱;及
在所述传感器层中提供沟槽隔离,所述沟槽隔离开始于所述前侧且延伸超过所述光电二极管的所述耗尽区域。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,还包括以第二类型导电性的材料加内衬于所述沟槽隔离,以将相邻于所述前侧的第二类型导电性的所述区域与相邻于所述背侧的所述阱相连接。
11.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述沟槽隔离延伸至所述绝缘层。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述沟槽隔离包括未延伸至所述绝缘层的诸部分,以便连接相邻光电检测器之间的所述背侧处的所述阱。
13.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述第一类型导电性为正。
14.如权利要求9或10所述的方法,其特征在于,所述第二类型导电性为负。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的