[发明专利]光半导体装置用引线框、其制造方法及光半导体装置

权利要求书

1.一种光半导体装置用引线框，其在导电性基体上形成有由银或银合金形成的层，其中，

具有由耐腐蚀性优异的金属或其合金形成的表层作为最外层；

在该表层的最表面部，耐腐蚀性优异的金属成分浓度为50质量％以上；

所述表层的包覆厚度为0.001～0.25μm；并且，

在所述表层与所述由银或银合金形成的层之间，形成有作为所述表层的主成分的金属材料与银的固溶体层。

2.权利要求1所述的光半导体装置用引线框，其中，所述固溶体层含有形成上述表层的主要金属成分，并且从所述表层侧至所述由银或银合金形成的层侧，该金属成分具有浓度分布。

3.权利要求2所述的光半导体装置用引线框，其中，所述金属成分在所述固溶体层中的浓度分布为：在所述表层侧高、在所述表层与所述由银或银合金形成的层侧低。

4.权利要求1～3中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述导电性基体由铜、铜合金、铝或铝合金构成。

5.权利要求1～4中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，在所述导电性基体与所述由银或银合金形成的层之间，形成有至少1层中间层，该中间层由选自镍、镍合金、钴、钴合金、铜及铜合金中的金属或合金形成。

6.权利要求1～5中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述由银或银合金形成的层的厚度为0.2～5.0μm。

7.权利要求1～6中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述表层由能够在常温与银或银合金形成固溶体的材料形成。

8.权利要求1～7中任一项所述的光半导体装置用引线框，其中，所述表层中的耐腐蚀性优异的金属或其合金选自：金、金合金、铟、铟合金、钯、钯合金、锡及锡合金。

9.制造权利要求1～8中任一项所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括：

在上述银或银合金层的表面形成所述表层，然后在100℃以上、且不超过能够使形成表层的材料与银或银合金形成固溶体的温度的温度范围内进行加热处理，从而使形成表层的材料扩散到由银或银合金形成的层的内部。

10.制造权利要求1～8中任一项所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括：利用电镀法形成所述由银或银合金形成的层。

11.制造权利要求5所述的光半导体装置用引线框的方法，该方法包括：利用电镀法形成所述由银或银合金形成的层及所述中间层。

12.一种光半导体装置，该光半导体装置至少在装载光半导体元件的部位使用了权利要求1～8中任一项所述的光半导体装置用引线框。