[发明专利]添加前体至氧化硅化学气相沉积以增进低温间隙填充的方法

权利要求书

1.一种在处理腔室中的基板上形成氧化硅层的方法，包含：

使含硅前体及氧化气体流入该处理腔室中；

使添加前体流入该处理腔室中；及

通过化学气相沉积自该含硅前体、该氧化气体及该添加前体在该基板上形成氧化硅层，其中该添加前体促进整个基板上的氧化硅层的均匀生长速度且降低该氧化硅层的粗糙度。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含使水流入该处理腔室中。

3.如权利要求1所述的方法，其中该基板是一图案化基板，其具有形成于该基板的表面上的沟槽，且形成该氧化硅层的步骤以氧化硅填充该沟槽，进而相对于没有使添加前体流入的操作而形成氧化硅层而言留下数目减少及/或尺寸减小的空隙。

4.如权利要求1所述的方法，其中该基板包含硅表面、氮化硅表面及氧化硅表面，在这些表面上形成该氧化硅层。

5.如权利要求1所述的方法，其中该含硅前体包含正硅酸四乙酯(TEOS)、四甲氧基硅烷(TMOS)或四乙氧基硅烷(TRIES)。

6.如权利要求1所述的方法，其中该氧化气体包含臭氧(O₃)。

7.如权利要求1所述的方法，其中该添加前体是一平滑前体。

8.如权利要求1所述的方法，其中该添加前体包含一含有至少一种硅碳键的有机硅化合物。

9.如权利要求8所述的方法，其中该有机硅化合物是四甲基二硅氧(TMDSO)。

10.如权利要求8所述的方法，其中该有机硅化合物是六甲基二硅氮(HMDS)。

11.如权利要求1所述的方法，其中该方法进一步包含在该氧化硅层的形成期间使水蒸汽流入该处理腔室中。

12.如权利要求1所述的方法，其中在该氧化硅层的形成期间使该含硅前体的流速增加。

13.如权利要求1所述的方法，其中该方法进一步包含将该基板的温度调整至低于600℃。

14.如权利要求13所述的方法，其中将该基板调整至介于约300℃与约450℃之间的温度范围。

15.如权利要求13所述的方法，其中将该基板调整至低于约300℃的温度。

16.如权利要求1所述的方法，其中将该处理腔室中的压力调整至低于700托。

17.如权利要求9所述的方法，其中在该氧化硅层的沉积期间该有机硅化合物的流速约为每分钟1mg或更高。

18.如权利要求9所述的方法，其中在该氧化硅层的沉积期间该有机硅化合物的流速小于或约为每分钟50mg。

19.如权利要求11所述的方法，其中在该氧化硅层的沉积期间水蒸汽的流速约为3000sccm或更高。

20.一种用氧化硅填充一沟槽的方法，其中该沟槽位于处理腔室中的基板上，该方法包含：

使第一含硅前体流入该处理腔室中，其中该第一含硅前体包含至少一种硅氧键；

使氧化前体流入该腔室中；

使第二含硅前体流入该腔室中，其中该第二含硅前体包含至少一种硅碳键；及

通过化学气相沉积用该第一含硅前体、该第二含硅前体及该氧化前体将氧化硅沉积于该沟槽中，其中该第二前体使生长速度平均，藉此减小沉积后留在该沟槽中的空隙的尺寸及/或减少空隙的数目。

21.如权利要求20所述的方法，其中使该第一含硅前体流动的操作包含使正硅酸四乙酯(TEOS)流动。

22.如权利要求21所述的方法，其中在该氧化硅的沉积期间正硅酸四乙酯的流速约为每分钟1gm或更高。

23.如权利要求20所述的方法，其中使该氧化前体流动的操作包含使选自臭氧(O₃)、氧气(O₂)及氧基(O)构成的组中的至少一种前体流动。

24.如权利要求20所述的方法，其中该方法进一步包含在该氧化硅层的形成期间使水蒸汽流入该处理腔室中。

25.如权利要求20所述的方法，其中该第二含硅前体包含四甲基二硅氧(TMDSO)。