[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200980151949.9 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102265391A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | A·斯特拉伯尼 | 申请（专利权）人： | 斯泰翁公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;迟姗 |
| 地址： | 法国比*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种结构(1，30，40)，其包括通过烧结硅粉形成的第一层(2，32，42)和由单晶硅制成的第二层(4，34，44)。
2.根据权利要求1所述的结构，包括在第一层和第二层之间形成扩散势垒的层(36)。
3.根据权利要求1所述的结构，包括在第一层和第二层之间形成绝缘体的层(46)。
4.根据权利要求2或3所述的结构，其中，形成扩散势垒的层和/或形成绝缘体的层是二氧化硅、四氮化三硅和/或碳化硅层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的结构，其中，第一层具有大于50微米的厚度，和/或第二层具有范围在1微米至50微米之间的厚度。
6.根据权利要求2至5任一项所述的结构，其中，形成扩散势垒的层(36)具有小于10纳米的厚度，和/或形成绝缘体的层(46)具有大于10纳米的厚度。
7.根据权利要求1至6任一项所述的结构，其中，第一层的多孔沟槽包含掺杂剂或导电物质。
8.根据权利要求1至7任一项所述的结构，其中，如果出现孔(48)，该孔就贯通第一层和形成绝缘体的层。
9.一种形成半导体结构的方法，其包括以下步骤：
a)形成支撑晶片(2，32，42)的硅粉烧结步骤；以及
b)将单晶硅层转移到支撑晶片上的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
c)在步骤a)的最后，将形成扩散势垒的层(36)或绝缘层(46)放置在支撑晶片上的步骤，在步骤b)产生的单晶硅层的转移发生在由支撑层和形成扩散势垒的层或绝缘层形成的组件上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
