[发明专利]新型有机半导体化合物、其制造方法、以及含有其的有机半导体组合物、有机半导体薄膜和元件

权利要求书

1.下述式1表示的多环芳香族有机半导体化合物，

[式1]

其中在式1中，

A为选自由可以取代的5员不饱和或芳香族环、可以取代的6员不饱和或芳香族环、可以取代的5员不饱和或芳香族杂环以及可以取代的6员不饱和或芳香族杂环组成的群组中的1个环，或为选自前述群组中的2个以上的环融合而成的多环；

表示与前述环A的末端分别融合的、可以具有取代基Y的1或多个吡咯环，m为至少是1的整数；

Xn为结合到前述环A的独立地选自下述取代基群组G1的取代基，n为0或1以上的整数，取代基群组G1由以下组成：氢、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或非取代的C₁-C₅₀烷基、取代或非取代的C₁-C₅₀烷氧基、取代或非取代的C₅-C₅₀环烷基、取代或非取代的C₅-C₅₀杂环烷基、取代或非取代的C₆-C₅₀芳基、取代或非取代的C₂-C₅₀杂芳基、胺基、羧基、酸酐、酯基、硫代羧基、二硫代羧基、磺酸基、亚磺酸基、次磺酸基、磺酰基、亚磺酰基、卤代酰基、氨甲酰基、酰肼基、亚胺基、酰胺基、脒基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、甲酰基、硫代甲酰基、酰基、巯基、氨基、亚氨基、肼基、烷氧基、芳氧基、醚基、硫醚基、二硫基、甲硅烷基、甲锗烷基、甲锡烷基、膦基和硼烷基；或者，

Xn表示分别与环A的末端融合的1或多个环，其中n为0或1以上的整数，X表示选自由5员芳香族环、可以取代的6员芳香族环、可以取代的5员不饱和杂环或芳香族杂环和可以取代的6员不饱和杂环或芳香族杂环组成的群组中的1个环，或2个以上的环融合而成的多环，其中每个X可以具有1或多个选自前述取代基群组G1的取代基；以及

Y为结合到前述吡咯环的、选自前述取代基群组G1的取代基，或者，前述Y表示融合到前述吡咯环的选自由5员芳香族环、可以取代的6员芳香族环、可以取代的5员不饱和或芳香族杂环和可以取代的6员不饱和或芳香族杂环组成的群组中的1个环、或2个以上的环融合而成的多环，这种情况下，前述Y可以具有1或多个选自前述取代基群组G1的取代基。

2.如权利要求1所述的多环芳香族有机半导体化合物，针对前述环A、Xn和Y而定义的5员不饱和或芳香族杂环和6员不饱和或芳香族杂环包括选自N、O、S和P的一个或多个杂原子。

3.制备如权利要求1所述的多环芳香族有机半导体化合物的方法，所述方法包含使下述式1′的化合物和下述式2′的化合物在酸的存在下反应的步骤：

[式1′]

其中，A、Xn、m如前述权利要求1中所定义；B表示-CO-O-R′₃；R′₃为C₁-C₂₀的烃基，可以含有选自氧、氮和硫的一或多个杂原子；

[式2′]

R′₁-CO-CH₂-R′₂

其中，R′₁和R′₂各自为氢或C₁-C₂₀的烃基，所述C₁-C₂₀的烃基可以含有选自氧、氮和硫的一个或多个杂原子，前述R′₁和R′₂为前述C₁-C₂₀的烃基的情况下，可以相互结合而形成具有3个以上的环元素的环。

4.如权利要求3所述的方法，其中式1′的B中，R′₃为甲基、乙基、丙基、叔丁基或苄基。

5.有机半导体组合物，其含有溶解或分散于溶剂中的一或多个权利要求1或2所述的多环芳香族有机半导体化合物。

6.有机半导体薄膜，其含有一或多个权利要求1或2所述的多环芳香族有机半导体化合物。

7.电子、光学或电子光学用元件，其含有一或多个权利要求1或2所述的多环芳香族有机半导体化合物、或权利要求6所述的有机半导体薄膜。