[发明专利]膜电容器用高介电性膜形成组合物无效

专利信息
申请号: 200980152187.4 申请日: 2009-12-21
公开(公告)号: CN102265362A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 横谷幸治;太田美晴;立道麻有子;小松信之;向井惠吏;高明天 申请(专利权)人: 大金工业株式会社
主分类号: H01G4/20 分类号: H01G4/20;C08J5/18;C08K9/04;C08L27/12;C08L101/00;H01B3/00;H01G4/18;H01B17/56
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电容 器用 高介电性膜 形成 组合
【说明书】:

技术领域

本发明涉及在膜电容器用高介电性膜的形成中使用的组合物和由该组合物形成的膜电容器用高介电性膜。

背景技术

近年,由于塑料绝缘体具有绝缘电阻高、频率特性优异、柔软性也优异的特征,因此,作为通讯用、电子机器用、电力用、中低压进相用、变换器用等膜电容器和压电元件、热电元件、复制体载持用电介体等膜材料而备受期待。

膜电容器通常使用由在介电性树脂膜的表面蒸镀有铝或锌的结构的膜、或层叠铝箔和介电性树脂膜的膜构成的膜电容器,近年,大多使用通过金属蒸镀在介电性树脂膜上形成电极的膜电容器。

膜电容器用的高介电性膜通常以将介电性树脂形成为膜形成树脂的单层形成,作为膜形成树脂,研究了一般的介电性高的聚酯、聚苯硫醚(PPS)等非氟类热塑性树脂和偏氟乙烯(VdF)等氟类树脂。

但是,对于最近对高能密度化的要求,仅使用作为有机化合物的树脂存在界限,从而也配合高介电性的无机颗粒(专利文献1~4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2000-294447号公报

专利文献2:日本特开2002-356619号公报

专利文献3:日本特开2007-005531号公报

专利文献4:日本特开2008-034189号公报

发明内容

发明所要解决的课题

至今,通过使高介电性的无机颗粒在树脂中均匀分散,追求膜的电容率和耐受电压的提高,但如果在介电性树脂中以高填充率配合高介电性无机颗粒,则电绝缘性下降。

用于解决课题的方法

本发明的发明人为了使这样的电绝缘性提高反复进行深入研究,结果发现,通过配合表面处理过的特殊无机颗粒作为高介电性无机颗粒,能够解决上述课题,从而完成了本发明。

即,本发明涉及一种膜电容器用膜形成组合物,其含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)为10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)为100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。

高介电性无机颗粒(b1)的电容率(20℃、1kHz)优选为300以上。

低介电性化合物(b2)的电容率(20℃、1kHz)优选为5以下。

另外,作为高介电性无机颗粒(b1),优选是选自式(b1a)所示的复合氧化物颗粒、式(b1b)所示的复合氧化物颗粒和(b1c)含有选自元素周期表的II A族金属元素和元素周期表IV B族金属元素中的至少3种金属元素的复合氧化物颗粒中的至少一种,

(b1a):M1a1Nb1Oc1

式中,M1是元素周期表II A族金属元素;N是元素周期表IV B族金属元素;a1为0.9~1.1;b1为0.9~1.1;c1为2.8~3.2;M1和N分别可以是多种,

(b1b):M2a2M3b2Oc2

式中,M2和M3不同,M2是元素周期表的II A族金属元素;M3是元素周期表第5周期的金属元素;a2为0.9~1.1;b2为0.9~1.1;c2为2.8~3.2。

作为低介电性化合物(b2),优选选自有机化合物中的至少1种。

高介电性无机颗粒(b1)是选自钛酸钡、锆钛酸钡钙和钛酸锶中的至少1种,低介电性化合物(b2)是选自有机钛化合物、有机硅烷化合物、有机锆化合物、有机铝化合物和有机磷化合物中的至少1种。

作为热塑性树脂(A),既可以是氟类热塑性树脂(a1),也可以是非氟类热塑性树脂(a2),也可以是这些的并用。

本发明的组合物相对于100质量份热塑性树脂(A),优选含有10~300质量份表面处理高介电性无机颗粒(B)。

另外,本发明还涉及将本发明的膜形成组合物成型而得到的膜电容器用高介电性膜。

另外,本发明还涉及在热塑性树脂中分散有以电容率(20℃、1kHz)为10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)为100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)的膜电容器用高介电性膜。

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